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参数资料
| 型号： | MRF372R3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 2/16页 |
| 文件大小： | 871K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-860C3 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 857MHz |
| 增益： | 17dB |
| 电压 - 测试： | 32V |
| 额定电流： | 17A |
| 电流 - 测试： | 800mA |
| 功率 - 输出： | 180W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-860C3 |
| 供应商设备封装： | NI-860C3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
A
RCHIVE INFORMATION
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF372R3 MRF372R5
TYPICAL TWO--TONE BROADBAND CHARACTERISTICS
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
10
12
14
16
18
20
10 100
Figure 12. Power Gain versus Output Power Figure 13. Intermodulation Distortion versus
Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 14. Drain Efficiency versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Gps
= 660 MHz
VDD
=32Vdc
IDQ
= 1000 mA
f1 -- f2 = 6 MHz
-- 5 0
-- 4 5
-- 4 0
-- 3 5
-- 3 0
-- 2 5
-- 2 0
-- 1 5
-- 1 0
10 100
5
10 100
10
15
20
25
30
35
40
45
IMD, INTERMODULATIO
N DISTORTION (dBc)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
860 MHz
470 MHz
660 MHz
VDD
=32Vdc
IDQ
= 1000 mA
f1 -- f2 = 6 MHz
860 MHz
IMD = 470 MHz
660 MHz
VDD
=32Vdc
IDQ
= 1000 mA
f1 -- f2 = 6 MHz
ηD= 860 MHz
470 MHz
D
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PDF描述 |
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参数描述 |
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