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参数资料
| 型号： | MRF372R3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 7/16页 |
| 文件大小： | 871K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-860C3 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 857MHz |
| 增益： | 17dB |
| 电压 - 测试： | 32V |
| 额定电流： | 17A |
| 电流 - 测试： | 800mA |
| 功率 - 输出： | 180W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-860C3 |
| 供应商设备封装： | NI-860C3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
A
RCHIVE INFORMATION
MRF372R3 MRF372R5
15
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 375G--04
ISSUE G
NI--860C3
1
2
34
5
4X
D
2X
Q
G
L
4X
K
H
E
F
C
T
SEATINGPLANE
NOTES:
1. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
2. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES
PER ASME Y14.5M--1994.
3. DIMENSION H TO BE MEASURED 0.030 (0.762)
AWAY FROM PACKAGE BODY.
4. RECOMMENDED BOLT CENTER DIMENSION
OF 1.140 (28.96) BASED ON 3M SCREW.
B
A
DIM
A
MIN MAX MIN MAX
MILLIMETERS
1.335 1.345 33.91 34.16
INCHES
B
0.380 0.390 9.65 9.91
C
0.180 0.224 4.57 5.69
D
0.325 0.335 8.26 8.51
E
0.060 0.070 1.52 1.78
F
0.004 0.006 0.10 0.15
G
H
0.097 0.107 2.46 2.72
K
0.135 0.165 3.43 4.19
L
N
0.851 0.869 21.62 22.07
Q
0.118 0.138 3.00 3.30
R
0.395 0.405 10.03 10.29
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. DRAIN
3. GATE
4. GATE
5. SOURCE
1.100 BSC
0.425 BSC
27.94 BSC
10.8 BSC
J
0.2125 BSC 5.397 BSC
M
0.852 0.868 21.64 22.05
S
0.394 0.406 10.01 10.31
bbb
0.010 REF 0.25 REF
ccc
0.015 REF 0.38 REF
bbb BT
A
M
M
M
bbb BT
A
M
M
M
B
(FLANGE)
bbb BT
A
M
M
M
ccc BT
A
M
M
M
R
(LID)
S
(INSULATOR)
J
bbb BT
A
M
M
M
ccc BT
A
M
M
M
N
(LID)
M
(INSULATOR)
A
4
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PDF描述 |
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参数描述 |
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