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参数资料
| 型号： | MRF372R3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 4/16页 |
| 文件大小： | 871K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-860C3 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 857MHz |
| 增益： | 17dB |
| 电压 - 测试： | 32V |
| 额定电流： | 17A |
| 电流 - 测试： | 800mA |
| 功率 - 输出： | 180W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-860C3 |
| 供应商设备封装： | NI-860C3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
A
RCHIVE INFORMATION
12
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF372R3 MRF372R5
NOTES
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF373ALSR5 | MOSFET RF N-CHAN 32V 75W NI-360S |
| MRF374A | IC MOSFET RF N-CHAN NI-650 |
| MRF377HR3 | MOSFET RF N-CHAN 32V 45W NI-860C |
| MRF5P20180HR6 | MOSFET RF N-CHAN 28V 38W NI-1230 |
| MRF5P21045NR1 | MOSFET RF N-CH TO-270-4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF372R5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 180W 860MHZ NI-860MOD RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF373 | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
| MRF373A | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF373AL | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 70V 3-PIN NI-360 - Bulk |
| MRF373ALR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 75W 860MHZ LDMOS NI360L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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