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参数资料
| 型号： | MRF374A |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 571K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-650 |
| 标准包装： | 14 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 857MHz |
| 增益： | 17.3dB |
| 电压 - 测试： | 32V |
| 额定电流： | 1µA |
| 电流 - 测试： | 400mA |
| 功率 - 输出： | 130W |
| 电压 - 额定： | 70V |
| 封装/外壳： | NI-650 |
| 供应商设备封装： | NI-650 |
| 包装： | 管件 |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
A
RCHIVE INFORMATION
MRF374A
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 12. Power Gain versus Peak Output Power
in Broadband Circuit
Figure 13. Power Gain versus Peak Output Power
in Broadband Circuit
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
15
18
470 MHz
VDD
=28Vdc
IDQ
= 750 mA
Tone Spacing = 6 MHz
G
ps
, POWER GAIN (dB)
560 MHz
760 MHz
660 MHz
860 MHz
17.5
17
16.5
16
15.5
15
18
470 MHz
VDD
=32Vdc
IDQ
= 750 mA
Tone Spacing = 6 MHz
G
ps
, POWER GAIN (dB)
560 MHz
760 MHz
660 MHz
860 MHz
17.5
17
16.5
16
15.5
860 MHz
760 MHz
Figure 14. Drain Efficiency versus Peak Output Power
in Broadband Circuit
Figure 15. Drain Efficiency versus Peak Output Power
in Broadband Circuit
Figure 16. Intermodulation Distortion versus
Peak Output Power in Broadband Circuit
Figure 17. Intermodulation Distortion versus
Peak Output Power in Broadband Circuit
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
45
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
35
25
15
5
860 MHz
VDD
=28Vdc
IDQ
= 750 mA
Tone Spacing = 6 MHz
560 MHz
470 MHz
0
860 MHz
VDD
=32Vdc
IDQ
= 750 mA
Tone Spacing = 6 MHz
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
40
30
20
10
-- 5 0
-- 2 5
INTERMODULATION D
ISTORTION (dBc)
IMD,
-- 3 0
-- 3 5
-- 4 0
-- 4 5
VDD
=28Vdc
IDQ
= 750 mA
Tone Spacing = 6 MHz
470 MHz
660 MHz
560 MHz
INTERMODULATION D
ISTORTION (dBc)
IMD,
-- 5 0
-- 2 5
-- 3 0
-- 3 5
-- 4 0
-- 4 5
860 MHz
VDD
=32Vdc
IDQ
= 750 mA
Tone Spacing = 6 MHz
760 MHz
470 MHz
660 MHz
560 MHz
VDD
=28Vdc VDD
=32Vdc
100
110
100
110
100
110
100
110
100
110
100
110
660 MHz
470 MHz
660 MHz
560 MHz
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PDF描述 |
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