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参数资料
| 型号： | MRF374A |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 571K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-650 |
| 标准包装： | 14 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 857MHz |
| 增益： | 17.3dB |
| 电压 - 测试： | 32V |
| 额定电流： | 1µA |
| 电流 - 测试： | 400mA |
| 功率 - 输出： | 130W |
| 电压 - 额定： | 70V |
| 封装/外壳： | NI-650 |
| 供应商设备封装： | NI-650 |
| 包装： | 管件 |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
A
RCHIVE INFORMATION
MRF374A
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
900
15
18
400
VDD
=32Vdc
Pout
= 100 W (PEP)
IDQ
= 750 mA
nFrequency = 6 MHz
G
ps
, POWER GAIN (dB)
17.5
17
16.5
16
15.5
800
700
600
500
28 Vdc
Figure 2. Gain versus Frequency
in Broadband Circuit
Figure 3. Intermodulation Distortion versus
Frequency in Broadband Circuit
Figure 4. Drain Efficiency versus Frequency
in Broadband Circuit
f, FREQUENCY (MHz)
f, FREQUENCY (MHz)
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 5. Performance in Broadband Circuit
Figure 6. Capacitance versus Voltage
Figure 7. COFDM Intermodulation, Gain and Efficiency
versus Output Power in Broadband Circuit
VDS, DRAIN--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
900
-- 5 0
-- 1 5
400
INTERMODULATION D
ISTORTION (dBc)
IMD,
VDD
=28Vdc
32 Vdc
-- 2 0
-- 2 5
-- 3 0
-- 3 5
-- 4 0
-- 4 5
800
700
600
500
900
20
45
400
VDD
=28Vdc
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
32 Vdc
800
700
600
500
40
35
30
25
900
0
20
400
20
40
IRL
Gps
ηD
INPUT RETURN LOSS (dB)
IRL,
G
ps
, POWER GAIN (dB)
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
15 35
10 30IDQ
= 750 mA
nFrequency = 6 MHz
525
800
700
600
500
D
f, FREQUENCY (MHz)
60
0
200
0
0
20
Crss
C
oss
Capacitance (pF)
50 5Coss
100 10Ciss
150 15
50
40
30
20
10
,C
iss
,
Capacitance (pF)
C
rss
,
100
0
40
0.1
-- 6 0
-- 2 0
20 --40Gps
5--55η
15 --45IMR
INTERMODULATION (dBc)
IMR,
V35 --25DD
=32Vdc
IDQ
=1.1A
30 --30f = 860 MHz2 K Mode COFDM
25 --3564 QAM
10.5 Peak/Avg. Ratio
10 --50
10
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
, DRAIN EFFICIENCY (%),
η
G
ps
, POWER GAIN (dB)
Pout
= 100 W (PEP)
IDQ
= 750 mA
nFrequency = 6 MHz
Pout
= 100 W (PEP)
IDQ
= 750 mA
nFrequency = 6 MHz
VDD=32Vdc
Pout
= 100 W (PEP)
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PDF描述 |
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