参数资料
型号: MRF374A
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 11/12页
文件大小: 571K
描述: IC MOSFET RF N-CHAN NI-650
标准包装: 14
晶体管类型: LDMOS
频率: 857MHz
增益: 17.3dB
电压 - 测试: 32V
额定电流: 1µA
电流 - 测试: 400mA
功率 - 输出: 130W
电压 - 额定: 70V
封装/外壳: NI-650
供应商设备封装: NI-650
包装: 管件
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
A
RCHIVE INFORMATION
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF374A
Figure 18. Series Equivalent Source and Load Impedance
f
MHz
Zsource
?
Zload
?
845
860
875
3.33 -- j2.42
2.73 -- j3.10
3.03 -- j2.39
4.56 -- j2.86
4.22 -- j3.16
3.87 -- j3.52
VDD
=32V,IDQ
= 400 mA, Pout
= 130 W PEP
Zo
=4?
Zsource
Zload
f = 845 MHz
f = 875 MHz
f = 845 MHz
f = 875 MHz
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to gate, balanced configuration.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to drain, balanced configuration.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
--
-- +
+
相关PDF资料
PDF描述
MRF377HR3 MOSFET RF N-CHAN 32V 45W NI-860C
MRF5P20180HR6 MOSFET RF N-CHAN 28V 38W NI-1230
MRF5P21045NR1 MOSFET RF N-CH TO-270-4
MRF5P21180HR6 MOSFET RF N-CHAN 28V 38W NI-1230
MRF5P21240HR6 MOSFET RF N-CHAN 28V 52W NI-1230
相关代理商/技术参数
参数描述
MRF374A_06 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF377 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
MRF377HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 250W 860MHZ 32V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF377HR3_09 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field-Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF377HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 250W 860MHZ 32V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray