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参数资料
| 型号： | MRF374A |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 571K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-650 |
| 标准包装： | 14 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 857MHz |
| 增益： | 17.3dB |
| 电压 - 测试： | 32V |
| 额定电流： | 1µA |
| 电流 - 测试： | 400mA |
| 功率 - 输出： | 130W |
| 电压 - 额定： | 70V |
| 封装/外壳： | NI-650 |
| 供应商设备封装： | NI-650 |
| 包装： | 管件 |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
A
RCHIVE INFORMATION
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF374A
Table 4. Electrical Characteristics
(TC
=25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
(1)
Drain--Source Breakdown Voltage
(VGS
=0Vdc,ID
=10
μA)
V(BR)DSS
70
?
?
Vdc
Zero Gate Voltage Drain Current
(VDS
=32Vdc,VGS
=0Vdc)
IDSS
?
?
1
μAdc
Gate--Source Leakage Current
(VGS
=5Vdc,VDS
=0Vdc)
IGSS
?
?
1
μAdc
On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(1)
(VDS
=10V,ID
= 200
μA)
VGS(th)
2
2.9
4
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(2)
(VDS
=32V,ID
= 100 mA)
VGS(Q)
2.5
3.3
4.5
Vdc
Drain--Source On--Voltage
(1)
(VGS
=10V,ID
=3A)
VDS(on)
?
0.41
0.45
Vdc
Dynamic Characteristics
(1)
Input Capacitance
(VDS
=32V,VGS
=0V,f=1MHz)
Ciss
?
97.3
?
pF
Output Capacitance
(VDS
=32V,VGS
=0V,f=1MHz)
Coss
?
49
?
pF
Reverse Transfer Capacitance
(VDS
=32V,VGS
=0V,f=1MHz)
Crss
?
1.91
?
pF
Functional Characteristics, Narrowband Operation
(2)
(In Freescale MRF374A Narrowband Circuit, 50 ohm system)
Common Source Power Gain
(VDD
=32Vdc,Pout
= 130 W PEP, IDQ
= 400 mA,
f1 = 857 MHz, f2 = 863 MHz)
Gps
16
17.3
?
dB
Drain Efficiency
(VDD
=32Vdc,Pout
= 130 W PEP, IDQ
= 400 mA,
f1 = 857 MHz, f2 = 863 MHz)
η
36
41.2
?
%
Intermodulation Distortion
(VDD
=32Vdc,Pout
= 130 W PEP, IDQ
= 400 mA,
f1 = 857 MHz, f2 = 863 MHz)
IMD
?
--32.5
-- 2 8
dB
1. Each side of device measured separately.
2. Measurement made with device in push--pull configuration.
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