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参数资料
| 型号： | MRF374A |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 571K |
| 描述： | IC MOSFET RF N-CHAN NI-650 |
| 标准包装： | 14 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 857MHz |
| 增益： | 17.3dB |
| 电压 - 测试： | 32V |
| 额定电流： | 1µA |
| 电流 - 测试： | 400mA |
| 功率 - 输出： | 130W |
| 电压 - 额定： | 70V |
| 封装/外壳： | NI-650 |
| 供应商设备封装： | NI-650 |
| 包装： | 管件 |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
A
RCHIVE INFORMATION
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF374A
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 8. 8--VSB Intermodulation, Gain and Efficiency
versus Output Power in Broadband Circuit
Figure 9. Power Gain versus Peak Output Power
in Narrowband Circuit
Figure 10. Intermodulation Distortion versus
Peak Output Power in Narrowband Circuit
Figure 11. Drain Efficiency versus Peak Output Power
in Narrowband Circuit
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
100
0
40
0.1
-- 6 0
-- 2 0
20 --40Gps
V
14
DD
=32Vdc
5--55f = 857 MHzη
nFrequency = 6 MHz
15 --45IMR
VDD
=32Vdc
IDQ
=1.1A
f = 860 MHz
, DRAIN EFFICIENCY (%),
η
G
ps
, POWER GAIN (dB)
35 --25
30 --30
25 --35
10 --50
10
1
13
19
IDQ
=1.0A
800 mA
G
ps
, POWER GAIN (dB)
600 mA
400 mA
200 mA
18
17
16
15
100
-- 5 5
-- 2 0
1
IDQ
= 200 mA
400 mA
INTERMODULATION D
ISTORTION (dBc)
IMD,
-- 2 5
-- 3 0
-- 3 5
-- 4 0
-- 4 5
-- 5 0
10
600 mA
800 mA
1.0 A
100
0
50
1
VDD
=32Vdc
IDQ
= 800 mA
f = 857 MHz
nFrequency = 6 MHz
40
30
20
10
10
INTERMODULATION (dBc)
IMR,
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
D
100
110
VDD
=32Vdc
f = 857 MHz
nFrequency = 6 MHz
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
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PDF描述 |
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