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参数资料
| 型号： | MRF6S9060NR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 11/18页 |
| 文件大小： | 784K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 28V 14W TO-270-2 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 21.4dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 450mA |
| 功率 - 输出： | 14W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | TO-270AA |
| 供应商设备封装： | TO-270-2 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S9060NR1 MRF6S9060NBR1
Table 2. Thermal Characteristics
Characteristic
Symbol
Value (1,2)
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
Case Temperature 80°C, 60 W CW
Case Temperature 80°C,
14 W CW
RθJC
0.77
0.88
°C/W
Table 3. ESD Protection Characteristics
Test Methodology
Class
Human Body Model (per JESD22-A114)
1A (Minimum)
Machine Model (per EIA/JESD22-A115)
A (Minimum)
Charge Device Model (per JESD22-C101)
IV (Minimum)
Table 4. Moisture Sensitivity Level
Test Methodology
Rating
Package Peak Temperature
Unit
Per JESD 22-A113, IPC/JEDEC J-STD-020
3
260
°C
Table 5. Electrical Characteristics (TC
= 25
°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(VDS
= 68 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
IDSS
?
?
10
μAdc
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(VDS
= 28 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
IDSS
?
?
1
μAdc
Gate-Source Leakage Current
(VGS
= 5 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
IGSS
?
?
1
μAdc
On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(VDS
= 10 Vdc, I
D
= 200
μA)
VGS(th)
1
2
3
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(VDD
= 28 Vdc, I
D
= 450 mAdc, Measured in Functional Test)
VGS(Q)
?
2.9
?
Vdc
Drain-Source On-Voltage
(VGS
= 10 Vdc, I
D
= 1.5 Adc)
VDS(on)
?
0.18
0.4
Vdc
Dynamic Characteristics
Output Capacitance
(VDS
= 28 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
Coss
?
33
?
pF
Reverse Transfer Capacitance
(VDS
= 28 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
Crss
?
1.4
?
pF
Input Capacitance
(VDS
= 28 Vdc, V
GS
= 0 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz)
Ciss
?
106
?
pF
Functional Tests
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 450 mA, P
out
= 14 W Avg., f = 880 MHz, Single-Carrier
N-CDMA, 1.2288 MHz Channel Bandwidth Carrier. ACPR measured in 30 kHz Channel Bandwidth @ ±750 kHz Offset. PAR = 9.8 dB @
0.01% Probability on CCDF
Power Gain
Gps
20.5
21.4
23.5
dB
Drain Efficiency
ηD
30.5
32.1
?
%
Adjacent Channel Power Ratio
ACPR
?
-47.6
-45
dBc
Input Return Loss
IRL
?
-15.3
-9
dB
1. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Software & Tools/Development Tools/Calculators to access
MTTF calculators by product.
2. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.
Select Documentation/Application Notes - AN1955.
(continued)
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PDF描述 |
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