- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录93 > MRF6S9060NR1 (Freescale Semiconductor)MOSFET RF N-CH 28V 14W TO-270-2 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MRF6S9060NR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 15/18页 |
| 文件大小： | 784K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 28V 14W TO-270-2 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 21.4dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 450mA |
| 功率 - 输出： | 14W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | TO-270AA |
| 供应商设备封装： | TO-270-2 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S9060NR1 MRF6S9060NBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
ACPR (dBc), ALT1 (dBc)
?24
?20
920
840
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ Pout
= 14 Watts Avg.
900
890
880
870
860
850
20.6
22
21.8
?65
40
35
30
?50
?55
?60
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
21.6
21.4
21.2
21
20.8
?45
910
ALT1
?16
?12
?8
VDD= 28 Vdc, Pout
= 14 W (Avg.), I
DQ
= 450 mA
N?CDMA IS?95 Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes
8 Through 13
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
ACPR (dBc), ALT1 (dBc)
?20
?16
920
840
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ Pout
= 28 Watts Avg.
900
890
880
870
860
850
20
21.6
21.4
?64
50
48
46
?40
?48
?56
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
ηD
21.2
21
20.8
20.6
20.4
?32
910
ALT1
?12
?8
?4
VDD= 28 Vdc, Pout
= 28 W (Avg.), I
DQ
= 450 mA
N?CDMA IS?95 Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes
8 Through 13
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
1 300100
17
23
IDQ
= 675 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
21
19
10
G
ps
, POWER GAIN (dB)
22
20
550 mA
450 mA
VDD
= 28 Vdc, f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz
Two?Tone Measurements
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
?30
?10
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
10
?20
100
?60
?40
INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
IMD, THIRD ORDER
IDQ
= 225 mA
350 mA
?50
20.2
44
18
350 mA
225 mA
VDD
= 28 Vdc, f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz
Two?Tone Measurements
450 mA
550 mA
675 mA
300
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S9125MR1 | MOSFET RF N-CH 28V 27W TO-270-4 |
| MRF6S9125NR1 | MOSFET RF N-CH 28V 27W TO-270-4 |
| MRF6S9130HSR5 | MOSFET RF N-CHAN 28V 27W NI-780S |
| MRF6S9160HSR5 | MOSFET RF N-CHAN 28V 35W NI-780S |
| MRF6V10010NR4 | MOSFET RF N-CHAN PLD-1.5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6S9125 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6S9125MBR1 | 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 27W TO-272-4 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF6S9125MR1 | 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 27W TO-270-4 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF6S9125N | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6S9125NBR1 | 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 27W TO-272-4 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。