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参数资料
| 型号： | MRF6S9060NR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 17/18页 |
| 文件大小： | 784K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 28V 14W TO-270-2 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 21.4dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 450mA |
| 功率 - 输出： | 14W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | TO-270AA |
| 供应商设备封装： | TO-270-2 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S9060NR1 MRF6S9060NBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
22
1
0
80
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 11. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
VDD
= 28 Vdc
IDQ
= 450 mA
f = 880 MHz
TC
= ?30
C
?30C
85C
10
21.5
21
20
19
70
C
60
50
40
30
20
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
Gps
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
Figure 12. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
G
ps
, POWER GAIN (dB)
08010
20
30 50 70 90 100 110 120 13040 60
140
10
22
21
17
16
15
14
13
19
18
20
IDQ
= 450 mA
f = 880 MHz
20.5
19.5
18.5
18
10
25C
25
85C
12
11
28 V
32 V
Figure 13. MTTF Factor versus Junction Temperature
VDD
= 24 V
250
108
90
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
This above graph displays calculated MTTF in hours when the device
is operated at VDD
= 28 Vdc, P
out
= 14 W Avg., and
ηD
= 32.1%.
MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select
Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF
calculators by product.
107
106
105
110 130 150 170 190
MTTF (HOURS)
210 230
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S9125MR1 | MOSFET RF N-CH 28V 27W TO-270-4 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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