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参数资料
| 型号： | MRF6S9060NR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 16/18页 |
| 文件大小： | 784K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 28V 14W TO-270-2 |
| 标准包装： | 500 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 21.4dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 450mA |
| 功率 - 输出： | 14W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | TO-270AA |
| 供应商设备封装： | TO-270-2 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
MRF6S9060NR1 MRF6S9060NBR1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
1 30010
100
?80
?10
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 450 mA, f1 = 880 MHz
7th Order
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
?20
f2 = 880.1 MHz, Two?Tone Measurements
5th Order
3rd Order
?30
?40
IMD, INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
?50
?60
?70
Figure 8. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
0.1 1001 30010
?70
0
0.05
7th Order
TWO?TONE SPACING (MHz)
VDD
= 28 Vdc, P
out
= 60 W (PEP)
IDQ
= 450 mA, Two?Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 880 MHz
5th Order
?10
?20
?30
?40
?50
?60
IMD, INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
Figure 9. Pulsed CW Output Power versus
Input Power
34
56
23
P3dB = 50 dBm (150 W)
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 450 mA
Pulsed CW, 8 μsec(on), 1 msec(off)
f = 880 MHz
54
52
50
48
44
24 2625 2827 3129
30 32 33
Actual
Ideal
P1dB = 49.1 dBm (100 W)
55
53
49
51
47
22
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 10. Single-Carrier N-CDMA ACPR, ALT1, Power
Gain and Drain Efficiency versus Output Power
?5 ?85
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
55
?25
45
?35
35
?45
25
C
ACPR
?55
5
?75
110
?65
15
ALT1
ηD
Gps
TC
= 25
C
85C
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%), G
ps
, POWER GAIN (dB)
VDD= 28 Vdc, IDQ
= 450 mA
f = 880 MHz, N?CDMA IS?95 Pilot,
Sync, Paging, Traffic Codes 8
Through 13
ALT1, CHANNEL POWER (dBc)
ACPR, ADJACENT CHANNEL POWER RATIO (dBc)
3rd Order
46
45
?30C
25C
25C
?30
25C
85C
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PDF描述 |
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