参数资料
型号: MRF6S9160HSR5
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 7/12页
文件大小: 535K
描述: MOSFET RF N-CHAN 28V 35W NI-780S
标准包装: 50
晶体管类型: LDMOS
频率: 880MHz
增益: 20.9dB
电压 - 测试: 28V
额定电流: 10µA
电流 - 测试: 1.2A
功率 - 输出: 35W
电压 - 额定: 68V
封装/外壳: NI-780S
供应商设备封装: NI-780S
包装: 带卷 (TR)
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S9160HR3 MRF6S9160HSR3
Figure 2. MRF6S9160HR3(SR3)
Test Circuit Component Layout
CUT OUT AREA
C16
900 MHz
Rev. 2
C17
B1
C18
C19
R2
R1
L1
C1
C3
C4
C6
B2
C24
C22 C23
C21
C7 C9
C5
C2
C15
C12
C13
C8
C10
C11
L2
C20
C14
相关PDF资料
PDF描述
MRF6V10010NR4 MOSFET RF N-CHAN PLD-1.5
MRF6V10250HSR5 MOSFET RF N-CH NI780S
MRF6V12500HR5 FET RF N-CH 1.03GHZ 100V NI-780H
MRF6V14300HSR5 MOSFET RF N-CH 50V NI780S
MRF6V2010GNR5 MOSFET RF N-CH 10W TO-270-2
相关代理商/技术参数
参数描述
MRF6V10010NR4 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 10W PULSE PLD1.5 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6V10010NR4-CUT TAPE 制造商:Freescale 功能描述:MRF6V10010N Series 1090 MHz 10 W 50 V Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET
MRF6V10010NT1 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:VHV6 10W PULSE PLD1.5 - Tape and Reel
MRF6V10250HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W AVIONIC NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6V10250HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W AVIONIC NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray