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参数资料
| 型号： | MRF6VP2600HR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 14/19页 |
| 文件大小： | 1438K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 600W NI1230 |
| 产品培训模块： | RF Broadcast Solutions |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 225MHz |
| 增益： | 25dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 额定电流： | 2.5mA |
| 电流 - 测试： | 2.6A |
| 功率 - 输出： | 125W |
| 电压 - 额定： | 110V |
| 封装/外壳： | NI-1230 |
| 供应商设备封装： | NI-1230 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRF6VP2600HR6DKR |
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6VP2600HR6
Figure 3. MRF6VP2600HR6 Test
Circuit Component Layout
C25
--
C24
--
--
+
MRF6VP2600H
CUT OUT AREA
Rev. 3
C16
*
L4 is wrapped around R1.
B1
C13
C12
C11
C14
C9
C8
C7
C15
L3
C6
C10
L2
T1
J1
C1 L1 C2
C3 (on side)
J2
T2
C4
C5
C19
C17
C18
C20
C21
C22
L4, R1*
C23
225 MHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6VP3091NBR1 | MOSFET RF 50V 350MA TO272-4 |
| MRF6VP3450HR6 | MOSFET RF N-CH 450W NI-1230 |
| MRF6VP41KHSR7 | MOSFET RF N-CH 1000W NI1230S |
| MRF7P20040HSR5 | MOSFET RF N-CH 40W NI780HS-4 |
| MRF7S15100HR5 | MOSFET RF N-CH 28V 23W NI780 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6VP2600HR6_10 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET |
| MRF6VP3091N | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power LDMOS Transistors Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
| MRF6VP3091NBR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 50V 4.5W TO272WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6VP3091NBR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 50V 4.5W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6VP3091NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 50V 4.5W TO270WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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