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参数资料
| 型号： | MRF6VP2600HR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 17/19页 |
| 文件大小： | 1438K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 600W NI1230 |
| 产品培训模块： | RF Broadcast Solutions |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 225MHz |
| 增益： | 25dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 额定电流： | 2.5mA |
| 电流 - 测试： | 2.6A |
| 功率 - 输出： | 125W |
| 电压 - 额定： | 110V |
| 封装/外壳： | NI-1230 |
| 供应商设备封装： | NI-1230 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRF6VP2600HR6DKR |
MRF6VP2600HR6
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS ? OFDM
12
0.0001
100
0
PEAK--TO--AVERAGE (dB)
Figure 14. Single--Carrier DVB--T OFDM
10
1
0.1
0.01
0.001
246810
PROBABILITY (%)
8K Mode DVB--T OFDM
64 QAM Data Carrier Modulation
5 Symbols
5
-- 2 0
-- 5
7.61 MHz
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 15. 8K Mode DVB--T OFDM Spectrum
-- 3 0
-- 4 0
-- 5 0
-- 9 0
-- 7 0
-- 8 0
--100
-- 11 0
-- 6 0
-- 4 -- 3 -- 2 -- 1 0 1 2 3 4
4kHzBW
(dB)
ACPR Measured at 4 MHz Offset
from Center Frequency
Figure 16. Single--Carrier DVB--T OFDM Power
Gain versus Output Power
25.8
30
IDQ
= 2600 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
25.6
100 200
G
ps
, POWER GAIN (dB)
2300 mA
VDD
= 50 Vdc, f = 225 MHz
8K Mode OFDM, 64 QAM Data Carrier
Modulation, 5 Symbols
25.4
25.2
25
24.8
24.4
24.2
24.6
2000 mA
1800 mA
1300 mA
ACPR, ADJACENT CHANNEL POWER RATIO (dBc)
Figure 17. Single--Carrier DVB--T OFDM ACPR
versus Output Power
-- 6 8
-- 5 6
20
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
-- 5 8
100 200
-- 6 0
VDD
= 50 Vdc, f = 225 MHz
8K Mode OFDM, 64 QAM Data Carrier
Modulation, 5 Symbols
-- 6 2
IDQ
= 1300 mA
2300 mA
2000 mA
1800 mA
2600 mA
-- 6 4
-- 6 6
ACPR, ADJACENT CHANNEL POWER RATIO (dBc)
Figure 18. Single--Carrier DVB--T OFDM ACPR Power
Gain and Drain Efficiency versus Output Power
15
-- 6 8
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
45
-- 5 6
30
20
-- 5 8
30
-- 6 2
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%), G
ps
, POWER GAIN (dB)
40
400
35
25
-- 6 0
100
-- 6 4
-- 6 6
64 QAM Data Carrier Modulation
ηD
25_C
TC
=--30_C
85_C
Gps
ACPR
25_C
85_C
-- 3 0_C
VDD
=50Vdc,IDQ
= 2600 MHz
f = 225 MHz, 8K Mode OFDM
5 Symbols
4kHzBW
8K Mode DVB--T OFDM
64 QAM Data Carrier Modulation, 5 Symbols
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6VP3091NBR1 | MOSFET RF 50V 350MA TO272-4 |
| MRF6VP3450HR6 | MOSFET RF N-CH 450W NI-1230 |
| MRF6VP41KHSR7 | MOSFET RF N-CH 1000W NI1230S |
| MRF7P20040HSR5 | MOSFET RF N-CH 40W NI780HS-4 |
| MRF7S15100HR5 | MOSFET RF N-CH 28V 23W NI780 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6VP2600HR6_10 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET |
| MRF6VP3091N | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power LDMOS Transistors Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
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| MRF6VP3091NBR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 50V 4.5W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6VP3091NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 50V 4.5W TO270WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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