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参数资料
| 型号： | MRF6VP2600HR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 5/19页 |
| 文件大小： | 1438K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 600W NI1230 |
| 产品培训模块： | RF Broadcast Solutions |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 225MHz |
| 增益： | 25dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 额定电流： | 2.5mA |
| 电流 - 测试： | 2.6A |
| 功率 - 输出： | 125W |
| 电压 - 额定： | 110V |
| 封装/外壳： | NI-1230 |
| 供应商设备封装： | NI-1230 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRF6VP2600HR6DKR |
MRF6VP2600HR6
13
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 25. MRF6VP2600HR6 Test Circuit Component Layout ? 352.2 MHz
C21 C23--
--
--
--
C11
C9
C7
B1
L1
C5
C1
C3*
C2
C4*
C24*
L2
C6
C8
B2
C10
C12
C20 C22
L3
C18
C13
C14
C17
C15
C16
L4
C19
COAX1
COAX2
COAX3
COAX4
CUT OUT AREA
*Mounted on side
352.2 MHz
MRF6VP2600H
Rev. 1
Table 7. MRF6VP2600HR6 Test Circuit Component Designations and Values ? 352.2 MHz
Part
Description
Part Number
Manufacturer
B1, B2
47
?, 100 MHz Short Ferrite Beads
2743019447
Fair--Rite
C1, C2
100 pF Chip Capacitors
ATC100B101JT500XT
ATC
C3*, C24*
22 pF Chip Capacitors
ATC100B221JT300XT
ATC
C4*
20 pF Chip Capacitor
ATC100B200JT500XT
ATC
C5, C6
2.2
μF Chip Capacitors
C1825C225J5RAC--TU
Kemet
C7, C8
220 nF Chip Capacitors
C1812C224K5RAC--TU
Kemet
C9, C10
0.1
μF Chip Capacitors
CDR33BX104AKWS
AVX
C11, C12
47
μF, 50 V Electrolytic Capacitors
476KXM050M
Illinois Cap
C13
39 pF, 500 V Chip Capacitor
MCM01--009DD390J--F
CDE
C14, C15, C16,
C17
240 pF Chip Capacitors
ATC100B241JT200XT
ATC
C18, C19
2.2
μF Chip Capacitors
G2225X7R225KT3AB
ATC
C20, C21, C22,
C23
470
μF, 63 V Electrolytic Capacitors
MCGPR63V477M13X26--RH
Multicomp
Coax1, 2, 3, 4
25
?, Semi Rigid Coax, 2.2″
UT141--25
Precision Tube Company
L1, L2
2.5 nH, 1 Turn Inductors
A01TKLC
Coilcraft
L3, L4
10 Turn, #16 AWG ID=0.160″
Inductors, Hand Wound
Copper Wire
Freescale
*Mounted on side
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6VP3091NBR1 | MOSFET RF 50V 350MA TO272-4 |
| MRF6VP3450HR6 | MOSFET RF N-CH 450W NI-1230 |
| MRF6VP41KHSR7 | MOSFET RF N-CH 1000W NI1230S |
| MRF7P20040HSR5 | MOSFET RF N-CH 40W NI780HS-4 |
| MRF7S15100HR5 | MOSFET RF N-CH 28V 23W NI780 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6VP2600HR6_10 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET |
| MRF6VP3091N | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power LDMOS Transistors Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
| MRF6VP3091NBR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 50V 4.5W TO272WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6VP3091NBR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 50V 4.5W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6VP3091NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 50V 4.5W TO270WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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