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参数资料
| 型号： | MRF6VP2600HR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 16/19页 |
| 文件大小： | 1438K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 600W NI1230 |
| 产品培训模块： | RF Broadcast Solutions |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 225MHz |
| 增益： | 25dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 额定电流： | 2.5mA |
| 电流 - 测试： | 2.6A |
| 功率 - 输出： | 125W |
| 电压 - 额定： | 110V |
| 封装/外壳： | NI-1230 |
| 供应商设备封装： | NI-1230 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRF6VP2600HR6DKR |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6VP2600HR6
TYPICAL CHARACTERISTICS ? TWO--TONE
Figure 10. Intermodulation Distortion
Products versus Output Power
-- 7 0
-- 2 0
10
7th Order
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
VDD
=50Vdc,IDQ
= 2600 mA, f1 = 222 MHz
f2 = 228 MHz, Two--Tone Measurements
3rd Order
-- 3 0
-- 4 0
-- 5 0
100 700
IMD, INTERMODULATIO
N DISTORTION (dBc)
-- 6 0
5th Order
5
Figure 11. Intermodulation Distortion
Products versus Tone Spacing
14010
-- 1 0
0.1
7th Order
TWO--TONE SPACING (MHz)
5th Order
3rd Order
-- 3 0
-- 4 0
-- 5 0
IMD, INTERMODULATIO
N DISTORTION (dBc)
Figure 12. Two--Tone Power Gain versus
Output Power
23.5
26
20
IDQ
= 2600 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
25.5
24
100 700
G
ps
, POWER GAIN (dB)
25
24.5
2300 mA
VDD
= 50 Vdc, f1 = 222 MHz, f2 = 228 MHz
Two--Tone Measurements, 6 MHz Tone Spacing
Figure 13. Third Order Intermodulation
Distortion versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
100
-- 2 5
-- 3 0
-- 4 0
-- 4 5
-- 5 0
INTERMODULATION D
ISTORTION (dBc)
IMD, THIRD ORDER
-- 2 0
VDD
= 50 Vdc, f1 = 222 MHz, f2 = 228 MHz
Two--Tone Measurements, 6 MHz Tone Spacing
700
20
-- 6 0
-- 2 0
VDD
=50Vdc,Pout
= 500 W (PEP), IDQ
= 2600 mA
Two--Tone Measurements
2000 mA
1800 mA
1300 mA
IDQ
= 1300 mA
2600 mA
1800 mA
2300 mA
2000 mA
-- 3 5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6VP3091NBR1 | MOSFET RF 50V 350MA TO272-4 |
| MRF6VP3450HR6 | MOSFET RF N-CH 450W NI-1230 |
| MRF6VP41KHSR7 | MOSFET RF N-CH 1000W NI1230S |
| MRF7P20040HSR5 | MOSFET RF N-CH 40W NI780HS-4 |
| MRF7S15100HR5 | MOSFET RF N-CH 28V 23W NI780 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6VP2600HR6_10 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET |
| MRF6VP3091N | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power LDMOS Transistors Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
| MRF6VP3091NBR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 50V 4.5W TO272WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6VP3091NBR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 50V 4.5W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6VP3091NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 50V 4.5W TO270WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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