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参数资料
| 型号： | MT48LC8M16LFF4-10IT:G |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
| 封装： | 8 X 8 MM, VFBGA-54 |
| 文件页数： | 74/80页 |
| 文件大小： | 2775K |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页当前第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页
PDF: 09005aef807f4885/Source: 09005aef8071a76b
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
128Mbx16x32Mobile_2.fm - Rev. M 1/09 EN
76
2001 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
128Mb: x16, x32 Mobile SDRAM
Timing Diagrams
Figure 55:
Write – Full-page Burst
Notes:
1. x16: A9 and A11 = “Don’t Care.”
x32: A8, A9, and A11 = “Don’t Care.”
2. tWR must be satisfied prior to PRECHARGE command.
3. Page left open; no tRP.
tRCD
DQMU, DQML
CKE
CLK
A0–A9, A11
BA0, BA1
A10
tCMS
tAH
tAS
tAH
tAS
ROW
Full-page burst does not
self-terminate. Can use
BURST TERMINATE
command to stop.2, 3
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
Full page completed
DON’T CARE
COMMAND
tCMH
tCMS
NOP
ACTIVE
NOP
WRITE
BURST TERM
NOP
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
DQ
DIN m
tDH
tDS
DIN m + 1
DIN m + 2
DIN m + 3
tDH
tDS
tDH
tDS
tDH
tDS
DIN m - 1
tDH
tDS
tAH
tAS
BANK
(
)
(
)
(
)
(
)
BANK
tCMH
tCKH
tCKS
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
512 (x16) locations within same row
COLUMN m 1
T0
T1
T2
T3
T4
T5
Tn + 1
Tn + 2
Tn + 3
tCH
tCL
tCK
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT48V8M16LFF4-10:G | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
| MT48LC8M16LFF4-10 | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
| MT48LC8M16LFF4-8XT | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
| MT48LC8M16LFTG-10XT:G | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
| MT4C1024DJ-6IT | 1M X 1 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO20 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MT48LC8M16LFF4-75M IT | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP MOBILE SDRAM 128MBIT 3.3V 54FBGA - Trays |
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