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参数资料
| 型号： | MT4C1M16E5DJ-6 |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | EDO DRAM |
| 中文描述： | EDO公司的DRAM |
| 文件页数： | 11/24页 |
| 文件大小： | 385K |
| 代理商： | MT4C1M16E5DJ-6 |
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1 Meg x 16 EDO DRAM
D52_B.p65 – Rev. B; Pub. 3/01
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2001, Micron Technology, Inc
16Mb: 1 MEG x16
EDO DRAM
NOTES (continued)
26.Each CAS#x must meet minimum pulse width.
27.The last CAS#x edge to transition HIGH.
28.Last falling CAS#x edge to first rising CAS#x edge.
29.Last rising CAS#x edge to first falling CAS#x edge.
30.Last rising CAS#x edge to next cycle’s last rising
CAS#x edge.
31.Last CAS#x to go LOW.
32.A HIDDEN REFRESH may also be performed after
a WRITE cycle. In this case, WE# is LOW and
OE# is HIGH.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT4LC1M16E5DJ-6S | EDO DRAM |
| MT4LC1M16E5 | EDO DRAM |
| MT4C4256 | 256K x 4 DRAM Standard Or Low Power, Extended Refresh(标准或低功率，扩展刷新，256K x 4动态RAM) |
| MT4C4256L | 256K x 4 DRAM Standard Or Low Power, Extended Refresh(标准或低功率，扩展刷新，256K x 4动态RAM) |
| MT4LC16M4T8TG-5 | DRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MT4C1M16E5TG-5 | 制造商:MICRON 制造商全称:Micron Technology 功能描述:EDO DRAM |
| MT4C1M16E5TG-6 | 制造商:MICRON 制造商全称:Micron Technology 功能描述:EDO DRAM |
| MT4C2M8B1DJ-6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| MT4C2M8E7DW-6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:2M X 8 EDO DRAM, 60 ns, PDSO28 |
| MT4C40004 | 制造商:MICRON 制造商全称:Micron Technology 功能描述:4 MEG x 4 DRAM |
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