- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录385639 > MT4C1M16E5DJ-6 (Micron Technology, Inc.) EDO DRAM PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MT4C1M16E5DJ-6 |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | EDO DRAM |
| 中文描述： | EDO公司的DRAM |
| 文件页数： | 20/24页 |
| 文件大小： | 385K |
| 代理商： | MT4C1M16E5DJ-6 |
20
1 Meg x 16 EDO DRAM
D52_B.p65 – Rev. B; Pub. 3/01
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2001, Micron Technology, Inc
16Mb: 1 MEG x16
EDO DRAM
RAS#-ONLY REFRESH CYCLE
(OE# and WE# = DON’T CARE)
ROW
V
IL
V
IL
ADDR
V
IL
RAS#
tRC
tRAS
tRP
tCRP
tASR
tRAH
ROW
OPEN
Q
V
OL
tRPC
CASL#/CASH#
CBR REFRESH CYCLE
(Addresses and OE# = DON’T CARE)
tRP
V
IL
RAS#
tRAS
OPEN
tCHR
tCSR
V
IL
CASL#/CASH#
DQ
tRP
tRAS
tRPC
tCSR
tRPC
tCHR
tCP
V
IL
tWRP
tWRH
tWRP
tWRH
WE#
DON’T CARE
UNDEFINED
V
OL
NOTE 1
TIMING PARAMETERS
-5
-6
SYMBOL
t
ASR
t
CHR
t
CP
t
CRP
t
CSR
t
RAH
MIN
0
8
8
5
5
9
MAX
MIN
0
10
10
5
5
10
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
-5
-6
SYMBOL
t
RAS
t
RC
t
RP
t
RPC
t
WRH
t
WRP
MIN
50
84
30
5
8
8
MAX
10,000
MIN
60
104
40
5
10
10
MAX
10,000
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
NOTE:
1. End of first CBR REFRESH cycle.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT4LC1M16E5DJ-6S | EDO DRAM |
| MT4LC1M16E5 | EDO DRAM |
| MT4C4256 | 256K x 4 DRAM Standard Or Low Power, Extended Refresh(标准或低功率，扩展刷新，256K x 4动态RAM) |
| MT4C4256L | 256K x 4 DRAM Standard Or Low Power, Extended Refresh(标准或低功率，扩展刷新，256K x 4动态RAM) |
| MT4LC16M4T8TG-5 | DRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MT4C1M16E5TG-5 | 制造商:MICRON 制造商全称:Micron Technology 功能描述:EDO DRAM |
| MT4C1M16E5TG-6 | 制造商:MICRON 制造商全称:Micron Technology 功能描述:EDO DRAM |
| MT4C2M8B1DJ-6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| MT4C2M8E7DW-6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:2M X 8 EDO DRAM, 60 ns, PDSO28 |
| MT4C40004 | 制造商:MICRON 制造商全称:Micron Technology 功能描述:4 MEG x 4 DRAM |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。