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参数资料
| 型号： | MT4C1M16E5DJ-6 |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | EDO DRAM |
| 中文描述： | EDO公司的DRAM |
| 文件页数： | 16/24页 |
| 文件大小： | 385K |
| 代理商： | MT4C1M16E5DJ-6 |
16
1 Meg x 16 EDO DRAM
D52_B.p65 – Rev. B; Pub. 3/01
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2001, Micron Technology, Inc
16Mb: 1 MEG x16
EDO DRAM
TIMING PARAMETERS
-5
-6
SYMBOL
t
ACH
t
AR
t
ASC
t
ASR
t
CAH
t
CAS
t
CLCH
t
CP
t
CRP
t
CSH
t
CWL
t
DH
t
DS
MIN
12
38
0
0
8
8
5
8
5
38
8
8
0
MAX
MIN
15
45
0
0
10
10
5
10
5
45
10
10
0
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10,000
10,000
EDO-PAGE-MODE EARLY WRITE CYCLE
tDS
tDH
tDS
tDH
tDS
tDH
tWCR
VALID DATA
VALID DATA
VALID DATA
tRWL
tWP
tCWL
tWCH
tWCS
tWP
tCWL
tWCH
tWCS
tWP
tCWL
tWCH
tWCS
tCAH
tASC
tCAH
tASC
tCAH
tASC
tRAH
tASR
tRAD
tAR
COLUMN
COLUMN
COLUMN
ROW
ROW
tCP
tRSH
tCAS, CLCH
tCP
tCP
tCAS, CLCH
tRCD
tCRP
tPC
tCSH
tRASP
tRP
V
IL
CASL#/CASH#
V
IL
ADDR
V
IL
WE#
V
IL
DQ
V
IOL
RAS#
OE#
V
IL
DON’T CARE
UNDEFINED
tACH
tACH
tACH
tCAS, CLCH
-5
-6
SYMBOL
t
PC
t
RAD
t
RAH
t
RASP
t
RCD
t
RP
t
RSH
t
RWL
t
WCH
t
WCR
t
WCS
t
WP
MIN
20
9
9
50
11
30
13
13
8
38
0
5
MAX
MIN
25
12
10
60
14
40
15
15
10
45
0
5
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
125,000
125,000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT4LC1M16E5DJ-6S | EDO DRAM |
| MT4LC1M16E5 | EDO DRAM |
| MT4C4256 | 256K x 4 DRAM Standard Or Low Power, Extended Refresh(标准或低功率，扩展刷新，256K x 4动态RAM) |
| MT4C4256L | 256K x 4 DRAM Standard Or Low Power, Extended Refresh(标准或低功率，扩展刷新，256K x 4动态RAM) |
| MT4LC16M4T8TG-5 | DRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MT4C1M16E5TG-5 | 制造商:MICRON 制造商全称:Micron Technology 功能描述:EDO DRAM |
| MT4C1M16E5TG-6 | 制造商:MICRON 制造商全称:Micron Technology 功能描述:EDO DRAM |
| MT4C2M8B1DJ-6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| MT4C2M8E7DW-6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:2M X 8 EDO DRAM, 60 ns, PDSO28 |
| MT4C40004 | 制造商:MICRON 制造商全称:Micron Technology 功能描述:4 MEG x 4 DRAM |
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