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参数资料
| 型号： | MT58L512L18FF-7.5IT |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, FBGA-165 |
| 文件页数： | 10/27页 |
| 文件大小： | 417K |
| 代理商： | MT58L512L18FF-7.5IT |
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18
8Mb: 512K x 18, 256K x 32/36 Flow-Through SyncBurst SRAM
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
MT58L512L18F_C.p65 – Rev. 2/02
2002, Micron Technology, Inc.
8Mb: 512K x 18, 256K x 32/36
FLOW-THROUGH SYNCBURST SRAM
FBGA CAPACITANCE
DESCRIPTION
CONDITIONS
SYMBOL
TYP
MAX
UNITS
NOTES
Address/Control Input Capacitance
CI
2.5
3.5
pF
1
Output Capacitance (Q)
TA = 25°C; f = 1 MHz
CO
45
pF
1
Clock Capacitance
CCK
2.5
3.5
pF
1
FBGA THERMAL RESISTANCE
DESCRIPTION
CONDITIONS
SYMBOL
TYP
UNITS NOTES
Junction to Ambient
Test conditions follow standard test methods
θ
JA
40
°C/W
1
(Airflow of 1m/s)
and procedures for measuring thermal
Junction to Case (Top)
impedance, per EIA/JESD51.
θ
JC
9
°C/W
1
Junction to Pins
θ
JB
17
°C/W
1
(Bottom)
TQFP THERMAL RESISTANCE
DESCRIPTION
CONDITIONS
SYMBOL
TYP
UNITS NOTES
Thermal Resistance
Test conditions follow standard test
1-layer
θ
JA
40
°C/W
1
(Junction to Ambient)
methods and procedures for measuring
Thermal Resistance
thermal impedance, per EIA/JESD51.
θ
JC
8
°C/W
1
(Junction to Top of Case)
NOTE: 1. This parameter is sampled.
2. Preliminary package data.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| MT5C1001F-55LE/883C | 1M X 1 STANDARD SRAM, 55 ns, CDFP32 |
| MT5C1005C-35/IT | STANDARD SRAM, CDIP28 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MT58L512L18FF-8.5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| MT58L512L18FS-10 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| MT58L512L18FS-10IT | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Tape and Reel 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| MT58L512L18FS-8.5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| MT58L512L18FT-10 | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:512KX18 SRAM PLASTIC TQFP 3.3V 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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