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参数资料
| 型号： | MTD3302 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 8300 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | DPAK-3 |
| 文件页数： | 11/12页 |
| 文件大小： | 278K |
| 代理商： | MTD3302 |
MTD3302
http://onsemi.com
8
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
RθJA(t) = r(t) RθJA
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) TA = P(pk) RθJA(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
Figure 14. Thermal Response Various Duty Cycles
t, TIME (seconds)
Rthja(t)
,EFFECTIVE
TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
1000
1
D = 0.5
1E05
1E03
1E02
1E01
0.2
0.01
0.02
0.05
0.1
1E+00
1E+01
1E+03
SINGLE PULSE
Figure 15. Thermal Response Various
Mounting/Measurement Conditions
1E04
1E+02
MOUNTED TO MINIMUM RECOMMENDED FOOTPRINT
POWER
(W)
0.01
10
0
100
200
t, TIME (seconds)
Figure 16. Single Pulse Power
1
50
0.1
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
Figure 17. Diode Reverse Recovery Waveform
150
MOUNTED ON 2
″ SQ. FR4 BOARD (1″ SQ.
2 OZ. CU 0.06
″ THICK SINGLE SIDED)
t, TIME (seconds)
Rthja(t)
,EFFECTIVE
TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
10,000
100
10
1E04
1E02
1E01
1E+00
1E+01
1E+02
1E+03
0.1
1000
Rthja, 1 INCH PAD
Rthjc, Tcase = 25°C
CHIP
JUNCTION
R1
C1
R2
C2
R3
C3
R4
C4
R5
C5
AMBIENT
1
2
3
4
5
0.0260
0.384
25.0
74.1
17.9
2.30
36.2
1521
5000
85,400
0.0256
0.314
5.07
19.6
41.7
0.753
9.97
230
1300
7,500
0.0324
0.0487
0.0896
0.464
0.666
0.0002
0.0006
0.0014
0.0073
0.0482
RC
MIN PAD, ja
RC
1 INCH PAD, ja
RC
CASE MOUNT, jc
Rthja, MIN PAD
DUTY CYCLE
100
10
0.1
1
1E03
1E05
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