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参数资料
| 型号： | MTP12P10G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 01/Jul/2009 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220, TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 300 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 920pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 75W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | MTP12P10GOS |
MTP12P10
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
20
18
16
V GS = ?20 V
T J = 25 ° C
10 V
1.2
1.1
V DS = V GS
I D = 1 mA
14
12
10
8
6
8V
7V
6V
1
0.9
4
2
5V
0.8
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
?50
?25
0 25 50 75 100
125
150
?V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 2. Gate?Threshold Voltage Variation
With Temperature
20
25 ° C
2
16
T J = ?55 ° C
100 ° C
1.6
V GS = 0
I D = 0.25 mA
12
8
1.2
0.8
4
V DS = 20 V
0.4
0
0
4
8
12
16
20
0
?50
?75
0
25
50
75
100
125
150
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. Transfer Characteristics
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 4. Normalized Breakdown Voltage
versus Temperature
0.5
V GS = 15 V
T J = 100 ° C
1.8
0.4
1.6
1.4
V GS = 10 V
I D = 6 A
0.3
0.2
0.1
25 ° C
?55 ° C
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
0
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 5. On?Resistance versus Drain Current
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 6. On?Resistance Variation
With Temperature
http://onsemi.com
3
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