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参数资料
| 型号： | MTP12P10G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 01/Jul/2009 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220, TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 300 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 920pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 75W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | MTP12P10GOS |
MTP12P10
1600
0
1200
800
C iss
T C = 25 ° C
V GS = 0
f = 1 MHz
?2
?4
?6
?8
T J = 25 ° C
I D = 12 A
?10
400
C oss
C rss
?12
?14
V DS = 30 V
50 V
0
0
10
20
30
40
?16
0
5
10
15
80 V
20
25
30
35
40
45
50
V DS , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 11. Gate Charge versus
Gate?To?Source Voltage
RESISTIVE SWITCHING
V DD
t on
t off
R L
V out
t d(on)
t r
90%
t d(off)
t f
90%
PULSE GENERATOR
z = 50 W
V in
DUT
OUTPUT, V out
10%
R gen
50 W
50 W
INPUT, V in
10%
50%
90%
50%
Figure 12. Switching Test Circuit
INVERTED
http://onsemi.com
5
PULSE WIDTH
Figure 13. Switching Waveforms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTP23P06VG | MOSFET P-CH 60V 23A TO220AB |
| MTP2955V | MOSFET P-CH 60V 12A TO-220AB |
| MTP2P50E | MOSFET P-CH 500V 2A TO-220AB |
| MTP3055VL | MOSFET N-CH 60V 12A TO-220AB |
| MTP3055VL | MOSFET N-CH 60V 12A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MTP1306 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
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