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参数资料
| 型号： | NAND01GR4B2BV1T |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, PLASTIC, USOP-48 |
| 文件页数： | 47/58页 |
| 文件大小： | 943K |
| 代理商： | NAND01GR4B2BV1T |
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NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
Data Protection
The ST NAND device is designed to guarantee
Data Protection during Power Transitions.
A VDD detection circuit disables all NAND opera-
tions, if VDD is below the VLKO threshold.
In the VDD range from VLKO to the lower limit of
nominal range, the WP pin should be kept low
(VIL) to guarantee hardware protection during
power transitions as shown in the below figure.
Figure 39. Data Protection
Ai11086
VLKO
VDD
W
Nominal Range
Locked
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND01GR4B2CV6T | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| NAND01GR4B2CZA1E | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63 |
| NAND01GW3A0BZB1 | 128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND512R4A2CZB6E | 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| NAND512R4A0BZA6 | 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND01GR4B2BZA1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
| NAND01GR4B2BZA1E | 制造商:NUMONYX 制造商全称:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GR4B2BZA1F | 制造商:NUMONYX 制造商全称:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GR4B2BZA6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
| NAND01GR4B2BZA6E | 制造商:NUMONYX 制造商全称:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
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