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参数资料
| 型号： | NAND01GR4B2BV1T |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, PLASTIC, USOP-48 |
| 文件页数： | 51/58页 |
| 文件大小： | 943K |
| 代理商： | NAND01GR4B2BV1T |
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NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
Figure 43. TFBGA63 9.5x12mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Outline
Note: Drawing is not to scale
Table 28. TFBGA63 9.5x12mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Mechanical Data
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
1.20
0.0472
A1
0.25
0.0098
A2
0.80
0.0315
b
0.45
0.40
0.50
0.0177
0.0157
0.0197
D
9.50
9.40
9.60
0.3740
0.3701
0.3780
D1
4.00
0.1575
D2
7.20
0.2835
ddd
0.10
0.0039
E
12.00
11.90
12.10
0.4724
0.4685
0.4764
E1
5.60
0.2205
E2
8.80
0.3465
e0.80–
–
0.0315
–
FD
2.75
0.1083
FD1
1.15
0.0453
FE
3.20
0.1260
FE1
1.60
0.0630
SD
0.40
0.0157
SE
0.40
0.0157
E
D
eb
SD
SE
A2
A1
A
BGA-Z67
ddd
FD1
D2
E2
e
FE
FE1
e
E1
D1
FD
BALL "A1"
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND01GR4B2CV6T | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| NAND01GR4B2CZA1E | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63 |
| NAND01GW3A0BZB1 | 128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND512R4A2CZB6E | 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| NAND512R4A0BZA6 | 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND01GR4B2BZA1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
| NAND01GR4B2BZA1E | 制造商:NUMONYX 制造商全称:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GR4B2BZA1F | 制造商:NUMONYX 制造商全称:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GR4B2BZA6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
| NAND01GR4B2BZA6E | 制造商:NUMONYX 制造商全称:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
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