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参数资料
型号： NAND01GR4B2BV1T
厂商： NUMONYX
元件分类： PROM
英文描述： 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PDSO48
封装： 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, PLASTIC, USOP-48
文件页数： 53/58页
文件大小： 943K
代理商： NAND01GR4B2BV1T
57/58
NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
REVISION HISTORY
Table 30. Document Revision History
Date
Version
Revision Details
25-Feb-2005
1
First Issue
16-Aug-2005
2
Automatic Page 0 Read feature removed throughout document.
LFBGA63 package removed throughout document.
Data Protection section and Figure 25., Equivalent Testing Circuit for AC Characteris-
tics Measurement added.
TFBGA63 and VFBGA63 packages updated. Note added to Figure 4., TSOP48 and
USOP48 Connections, x8 devices and Figure 5., TSOP48 and USOP48 Connections,
x16 devices regarding the USOP package.
Write Enable (W)., Table 11., Table 12., Table 14., Block Lock Status, Figure 20., Table
20., Figure 24., Table 22., Table 24. and Table 30. modified.
相关PDF资料
PDF描述
NAND01GR4B2CV6T 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PDSO48
NAND01GR4B2CZA1E 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63
NAND01GW3A0BZB1 128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63
NAND512R4A2CZB6E 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55
NAND512R4A0BZA6 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63
相关代理商/技术参数
参数描述
NAND01GR4B2BZA1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
NAND01GR4B2BZA1E 制造商:NUMONYX 制造商全称:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory
NAND01GR4B2BZA1F 制造商:NUMONYX 制造商全称:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory
NAND01GR4B2BZA6 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
NAND01GR4B2BZA6E 制造商:NUMONYX 制造商全称:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory
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