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参数资料
| 型号： | NAND01GW3B2CN1E |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 128M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件页数： | 41/65页 |
| 文件大小： | 1473K |
| 代理商： | NAND01GW3B2CN1E |
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DC and AC parameters
NAND01G-B2C
11
DC and AC parameters
This section summarizes the operating and measurement conditions, and the DC and AC
characteristics of the device. The parameters in the DC and AC characteristics tables that
follow, are derived from tests performed under the measurement conditions summarized in
Table 20: Operating and AC measurement conditions. Designers should check that the
operating conditions in their circuit match the measurement conditions when relying on the
quoted parameters.
Table 20.
Operating and AC measurement conditions
Parameter
NAND flash
Units
Min
Max
Supply voltage (VDD)
1.8 V devices
1.7
1.95
V
3 V devices
2.7
3.6
V
Ambient temperature (TA)
Grade 1
0
70
°C
Grade 6
–40
85
°C
Load capacitance (CL)
(1 TTL GATE and CL)
1.8 V devices
30
pF
3 V devices (2.7 - 3.6 V)
50
pF
Input pulses voltages
1.8 V devices
0
VDD
V
3 V devices
0
VDD
V
Input and output timing ref. voltages
VDD/2
V
Output circuit resistor Rref
8.35
k
Input rise and fall times
5
ns
Table 21.
Capacitance(1)
1.
TA = 25 °C, f = 1 MHz. CIN and CI/O are not 100% tested.
Symbol
Parameter
Test condition
Typ
Max
Unit
CIN
Input capacitance
VIN = 0 V
10
pF
CI/O
Input/output capacitance(2)
2.
Input/output capacitances double in stacked devices.
VIL = 0 V
10
pF
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