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参数资料
| 型号： | NAND01GW3B2CN1E |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 128M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件页数： | 47/65页 |
| 文件大小： | 1473K |
| 代理商： | NAND01GW3B2CN1E |
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NAND01G-B2C
DC and AC parameters
51/65
Figure 20.
Command Latch AC waveforms
1.
The time to ready depends on the value of the pull-up resistor tied to the ready/busy pin. See Figure 33, Figure 34 and
2.
tWHWH is the time from W rising edge during the final address cycle to W rising edge during the first data cycle.
3.
During a program/erase enable operation, tWW is the delay from WP high to W High.
During a program/erase disable Operation, tWW is the delay from WP Low to W High.
4.
tRLQX is valid when frequency is higher than 33 MHz, tRHQX is valid for frequency lower than 33 MHz.
5.
ES = electronic signature.
ai13105
CL
E
W
AL
I/O
tCLHWH
tELWH
tWHCLL
tWHEH
tWLWH
tALLWH
tWHALH
Command
tDVWH
tWHDX
(CL Setup time)
(CL Hold time)
(Data Setup time)
(Data Hold time)
(ALSetup time)
(AL Hold time)
H(E Setup time)
(E Hold time)
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| NAND01GW3B2CN6F | 制造商:NUMONYX 制造商全称:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
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