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参数资料
| 型号： | NAND02GR4B2BZB1 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 128M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| 封装： | 9.50 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63 |
| 文件页数： | 46/57页 |
| 文件大小： | 887K |
| 代理商： | NAND02GR4B2BZB1 |
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NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
50/57
Ready/Busy Signal Electrical Characteristics
teristics for the Ready/Busy signal. The value re-
quired for the resistor RP can be calculated using
the following equation:
So,
where IL is the sum of the input currents of all the
devices tied to the Ready/Busy signal. RP max is
determined by the maximum value of tr.
Figure 34. Ready/Busy AC Waveform
Figure 35. Ready/Busy Load Circuit
Figure 36. Resistor Value Versus Waveform Timings For Ready/Busy Signal
Note: T = 25°C.
R
P
min
VDDmax VOLmax
–
()
IOL
IL
+
------------------------------------------------------------
=
R
P
min 1.8V
()
1.85V
3mA
IL
+
---------------------------
=
R
P
min 3V
()
3.2V
8mA
IL
+
---------------------------
=
AI07564B
busy
VOH
ready VDD
VOL
tf
tr
AI07563B
RP
VDD
VSS
RB
DEVICE
Open Drain Output
ibusy
ai07565B
RP (K)
12
3
4
100
300
200
t r
,t
f
(ns)
1
2
3
1.7
0.85
30
1.7
tr
tf
ibusy
0
400
4
RP (K)
12
3
4
100
300
200
1
2
3
ibusy
(mA)
2.4
1.2
0.8
0.6
100
200
300
400
3.6
0
400
4
VDD = 1.8V, CL = 30pF
VDD = 3.3V, CL = 100pF
t r
,t
f
(ns)
ibusy
(mA)
60
90
120
0.57
0.43
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