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参数资料
| 型号： | NAND512R3A0CV1F |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, USOP-48 |
| 文件页数： | 22/57页 |
| 文件大小： | 916K |
| 代理商： | NAND512R3A0CV1F |
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NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
Table 11. Status Register Bits
Read Electronic Signature
The device contains a Manufacturer Code and De-
vice Code. To read these codes two steps are re-
quired:
1.
first use one Bus Write cycle to issue the Read
Electronic Signature command (90h)
2.
then perform two Bus Read operations – the
first will read the Manufacturer Code and the
second, the Device Code. Further Bus Read
operations will be ignored.
Refer to Table 12., Electronic Signature, for infor-
mation on the addresses.
Table 12. Electronic Signature
Bit
Name
Logic Level
Definition
SR7
Write Protection
'1'
Not Protected
'0'
Protected
SR6
Program/ Erase/ Read
Controller
'1'
P/E/R C inactive, device ready
'0'
P/E/R C active, device busy
SR5, SR4,
SR3, SR2, SR1
Reserved
Don’t Care
SR0
Generic Error
‘1’
Error – operation failed
‘0’
No Error – operation successful
Part Number
Manufacturer
Code
Device code
NAND128R3A
20h
33h
NAND128W3A
73h
NAND128R4A
0020h
0043h
NAND128W4A
0053h
NAND256R3A
20h
35h
NAND256W3A
75h
NAND256R4A
0020h
0045h
NAND256W4A
0055h
NAND512R3A
20h
36h
NAND512W3A
76h
NAND512R4A
0020h
0046h
NAND512W4A
0056h
NAND01GR3A
20h
39h
NAND01GW3A
79h
NAND01GR4A
0020h
0049h
NAND01GW4A
0059h
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND512R3A0AN6E | 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND512R3A0AZA6E | 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND512R3A2AN6T | 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
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| NAND512R3A2AV1E | 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND512R3A2AZA6E | 功能描述:IC FLASH 512MBIT 55VFBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| NAND512R3A2BZA6E | 功能描述:闪存 128Mbit-1Gbit 1.8/3V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND512R3A2CZA6E | 功能描述:IC FLASH 512MBIT 63VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| NAND512R3A2CZA6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:SLC NAND Flash Parallel 1.8V 512Mbit 64M x 8bit 15us 63-Pin VFBGA T/R |
| NAND512R3A2DDI6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
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