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参数资料
| 型号： | NAND512R3A0CV1F |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, USOP-48 |
| 文件页数： | 42/57页 |
| 文件大小： | 916K |
| 代理商： | NAND512R3A0CV1F |
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NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
PACKAGE MECHANICAL
Figure 37. TSOP48 - 48 lead Plastic Thin Small Outline, 12 x 20mm, Package Outline
Note: Drawing is not to scale.
Table 22. TSOP48 - 48 lead Plastic Thin Small Outline, 12 x 20mm, Package Mechanical Data
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
1.200
0.0472
A1
0.100
0.050
0.150
0.0039
0.0020
0.0059
A2
1.000
0.950
1.050
0.0394
0.0374
0.0413
B
0.220
0.170
0.270
0.0087
0.0067
0.0106
C
0.100
0.210
0.0039
0.0083
CP
0.080
0.0031
D1
12.000
11.900
12.100
0.4724
0.4685
0.4764
E
20.000
19.800
20.200
0.7874
0.7795
0.7953
E1
18.400
18.300
18.500
0.7244
0.7205
0.7283
e
0.500
–
0.0197
–
L
0.600
0.500
0.700
0.0236
0.0197
0.0276
L1
0.800
0.0315
α
3°
0°
5°
3°
0°
5°
TSOP-G
B
e
DIE
C
L
A1
α
E1
E
A
A2
1
24
48
25
D1
L1
CP
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NAND512R3A2CZA6E | 功能描述:IC FLASH 512MBIT 63VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| NAND512R3A2CZA6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:SLC NAND Flash Parallel 1.8V 512Mbit 64M x 8bit 15us 63-Pin VFBGA T/R |
| NAND512R3A2DDI6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
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