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参数资料
| 型号： | NAND512R3A0CV1F |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, USOP-48 |
| 文件页数： | 44/57页 |
| 文件大小： | 916K |
| 代理商： | NAND512R3A0CV1F |
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NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
Figure 39. VFBGA55 8 x 10mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Outline
Note: Drawing is not to scale
Table 24. VFBGA55 8 x 10mm - 6x8 ball array, 0.80mm pitch, Package Mechanical Data
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A1.05
0.041
A1
0.25
0.010
A2
0.70
0.028
b
0.45
0.40
0.50
0.018
0.016
0.020
D
8.00
7.90
8.10
0.315
0.311
0.319
D1
4.00
0.157
D2
5.60
0.220
ddd
0.10
0.004
E
10.00
9.90
10.10
0.394
0.390
0.398
E1
5.60
0.220
E2
8.80
0.346
e0.80–
–
0.031
–
FD
2.00
0.079
FD1
1.20
0.047
FE
2.20
0.087
FE1
0.60
0.024
SD
0.40
0.016
SE
0.40
0.016
D1
D
e
b
SD
BGA-Z61
ddd
A2
A1
A
SE
E2
FE1
E1
E
D2
FE
FD1
FD
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND512R3A0AN6E | 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NAND512R3A2BZA6E | 功能描述:闪存 128Mbit-1Gbit 1.8/3V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND512R3A2CZA6E | 功能描述:IC FLASH 512MBIT 63VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| NAND512R3A2CZA6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:SLC NAND Flash Parallel 1.8V 512Mbit 64M x 8bit 15us 63-Pin VFBGA T/R |
| NAND512R3A2DDI6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
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