参数资料
型号: NCP5218MNR2G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 28/31页
文件大小: 0K
描述: IC DDR PWR CTLR 2IN2 NTBK 22-DFN
产品变化通告: Product Obsolescence 30/Sept/2009
标准包装: 2,500
应用: 控制器,DDR
输入电压: 4.5 V ~ 24 V
输出数: 2
输出电压: 可调
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 22-VFDFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 22-DFN(6x5)
包装: 带卷 (TR)
NCP5218
VCCA
U1
NCP5218
0.1 m F
C5 (option)
R1 R2 R3 R4
100 k 100 k 100 k 100 k
1
VDDQEN OCDDQ
16
R6
PGOOD
VREF
TP10
VTTGND
2 20 5.6 k W 5 V TP5
BOOST
D1
TP6 VIN
NTMS4700N
4 SS
(4.5 V TO 24 V)
C1
C10
10 m F TP7
0.1 m F
10 m F
*33 m F
1.8 nF ON Semiconductor
NCP5218
15 PGOOD TGDDQ 18
0 W N?CHANNEL
30 V, 7.3 m W
14 VTTREF 1.8 m H, 14 A, 3.4 m W
NTMS4107N
1 m F
C13
1.8 V/10 A
2.5 V/12 A
Q2
1 m F
R14
3.3 W 150 m F
FBVTT
C19
C17
BGDDQ 21
C2
10 m F
0 W
5 VTTGND
1 nF
N?CHANNEL
22
C14 30 V, 4.7 m W
R5
COMP
VCCA
C16
C11, C12
R9
10 W
4.7 nF
(150 m F, 4 V, 15 m W )
4.3 k
1 m F
2.2 nF
10
13
C3
LOW?ESR POSCAP TPE Series
* Install R12 = 3.44 k for VDDQ = 1.8 V
10 m F Install R12 = 2.02 k for VDDQ = 2.5 V SANYO 4TPE150MI
*
AGND
VTTI
C20
JP1 JP2 JP3
TP1
TP4
0.9 V/15 mA
1.25 V/15 mA
AGND
TP2
VTT
0.9 V/ ± 1.5 A
1.25 V/ ± 1.5 A
TP3
5V
3 17   2       1 C6
8
11
C4
(option)
VTTEN VCCP BIAS SUPPLY
FPWM
VTT C11 C12
PGND
9 7
C7
Q1 C8 C9
R7
R8 TP9
12 100 pF
C15 R11
10 k R10 LOW ESR SP?CAP UD Series
MBR0530T1 4.7 m F
GND
(option for Vin < 8 V)
19                                              VDDQ      TP8
L1
6 (option)
150 m F
10 m F (option)
130 Panasonic EEFUD0G151R
DDQREF FBDDQ (150 m F, 4 V, 18 m W )
R12
THPAD 3.44 k
C18 SWDDQ VDDQ
VDDQGND
23
10 m F
(option)
VTTGND
JP4
R13
0 W
Figure 41. Schematic Diagram of Evaluation Board
http://onsemi.com
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