参数资料
| 型号： | NCP5218MNR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/31页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR PWR CTLR 2IN2 NTBK 22-DFN |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 30/Sept/2009 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 应用： | 控制器，DDR |
| 输入电压： | 4.5 V ~ 24 V |
| 输出数： | 2 |
| 输出电压： | 可调 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 22-VFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 22-DFN（6x5） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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NCP5218
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued) (V IN = 12 V, T A = ? 40 to 85 _ C, V CCA = V CCP = V BOOST ? V SWDDQ = 5.0 V,
L = 1.8 m H, C OUT1 = 150 m F x 2, C OUT2 = 22 m F x 2, RL1 = 5.6 k W , R1 = 4.3 k W , R2 = 3.3 k W , RZ1 = 10 k W , RZ2 = 130 W , CP1 = 100 pF,
CZ1 = 2.2 nF, CZ2 = 4.7 nF, for min/max values unless otherwise noted. Typical values are at T A = 25 _ C.)
Characteristic
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ERROR AMPLIFIER
DC Gain
Unity Gain Bandwidth
Slew Rate
GAIN
F t
S R
(Note 5)
COMP_GND = 220 nF,
1.0 W in Series (Note 5)
(Note 5)
?
?
?
70
2.0
3.0
?
?
?
dB
MHz
V/ m S
GATE DRIVERS
TGDDQ Gate Pull ? HIGH Resistance
TGDDQ Gate Pull ? LOW Resistance
BGDDQ Gate Pull ? HIGH Resistance
BGDDQ Gate Pull ? LOW Resistance
R H_TG
R L_TG
R H_BG
R L_BG
V BOOST ? V SWDDQ = 5.0 V,
V TGDDQ ? V SWDDQ = 4.0 V
V BOOST ? V SWDDQ = 5.0 V,
V TGDDQ ? V SWDDQ = 1.0 V
V CCP = 5.0 V, V BGDDQ = 4.0 V
V CCP = 5.0 V, V BGDDQ = 1.0 V
?
?
?
?
1.8
1.8
1.8
0.9
4.0
4.0
4.0
3.0
W
W
W
W
V TT ACTIVE TERMINATOR
V TT with Respect to 1/2V DDQREF
DDQREF Input Resistance
Source Current Limit
Sink Current Limit
Soft ? Start Source Current Limit
Maximum Soft ? Start Time
d VTT0
DDQREF_R
I LIMVTsrc
I LIMVTsnk
I LIMVTSS
t ssvttmax
1/2V DDQREF – V TT ,
V DDQREF = 2.5 V,
I VTT = 0 to 2.4 A
(Sink Current)
I VTT = 0 to –2.4 A
(Source Current)
1/2V DDQREF – V TT ,
V DDQREF = 1.8 V,
I VTT = 0 to 2.0 A
(Sink Current)
I VTT = 0 to –2.0 A
(Source Current)
V DDQREF = 2.5 V
?
?
?
?
? 30
?
? 30
?
40
2.5
2.5
?
?
?
?
?
?
55
3.0
3.0
1.0
0.32
?
30
?
30
75
?
?
?
?
mV
mV
k W
A
A
A
ms
V TTREF OUTPUT
V TTREF Source Current
V TTREF Accuracy Referred to 1/2V DDQREF
I VTTR
d VTTR
V DDQREF = 1.8 V or 2.5 V
1/2V DDQREF – V TTR ,
V DDQREF = 2.5 V,
I VTTR = 0 mA to 15 mA
1/2V DDQREF – V TTR ,
V DDQREF = 1.8 V,
I VTTR = 0 mA to 15 mA
15
? 25
? 18
?
?
?
?
25
18
mA
mV
mV
5. Guaranteed by design, not tested in production.
http://onsemi.com
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