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参数资料
| 型号： | NCV8855BMNR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/24页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG QD BUCK/LINEAR 40QFN |
| 标准包装： | 1 |
| 拓扑： | 降压（降压）（2），线性（LDO）（2） |
| 功能： | 汽车无线电设备和仪表板电源 |
| 输出数： | 4 |
| 频率 - 开关： | 170kHz |
| 电压/电流 - 输出 1： | 控制器 |
| 电压/电流 - 输出 2： | 可调式，2.5A |
| 电压/电流 - 输出 3： | 控制器 |
| 带 LED 驱动器： | 无 |
| 带监控器： | 无 |
| 带序列发生器： | 是 |
| 电源电压： | 9 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 105°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 40-VFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 40-QFN（6x6） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NCV8855BMNR2GOSDKR |
NCV8855
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (V IN_SW = V IN = V ISNS1+ = V ISNS1 ? = V ISNS2+ = V ISNS2 ? = 13.2 V, SYS_EN = LDO_EN =
HS_EN = 5 V, VOUT3 = 3.3 V, VOUT4 = 8.5 V, IOUT[1:4] = 0 A) Min/Max values are valid for the temperature range ? 40 ° C v T J v
150 ° C unless noted otherwise. Min/Max values are guaranteed by test, design or statistical correlation.
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
SUPPLY VOLTAGES AND SYSTEM SPECIFICATION
Thermal Monitoring (T MON_SW, SMPS2 internal MOSFET temperature monitor)
T WARN2 hysteresis
10
20
° C
Thermal shutdown temperature
Delta junction temperature
(TSD2 ? T WARN2 )
TSD2
160
10
170
20
180
30
° C
° C
HOT_FLG
Voltage low threshold
T J > TWARN[x], 1 k W pullup to 5 V
0.4
V
Leakage current
Sink capability
1 k W pull ? up to 5 V, T J = 25 ° C
V HOT_FLG = 0.8 V
4.6
100
500
nA
mA
System Enable
Logic high
Logic low
2.0
0.8
V
V
Pull down resistance
T J = 25 ° C
500
k W
High ? Side Enable
HS_EN logic high
HS_EN logic low
0.8
2.0
V
V
Pull down current
V HS_EN = 5 V
V HS_EN = 0.8 V
2
5
5
10
m A
Leakage current
I HS_EN
SYS_EN = 0 V, V HS_EN = 5 V
100
500
nA
LDO Enable
Logic high
Logic low
0.8
2.0
V
V
Pull down current
V LDO_EN = 5 V
V LDO_EN = 0.8 V
2
5
5
10
m A
Leakage current
I LDO_EN
SYS_EN = 0 V, V LDO_EN = 5 V
100
500
nA
SWITCH ? MODE POWER SUPPLY CONTROLLER (SMPS1, VOUT1) SPECIFICATIONS
Over Current Protection
OCSET current sink
R OCSET = 10 k W connected to 13.2 V
45
55
65
m A
OCSET leakage current
OCSET comparator differential range
OCSET comparator common ? mode
range
SYS_EN = 0 V, V OCSET = 13.2 V,
T J = 25 ° C
(Note 1)
(Note 1)
50
4.0
100
500
750
19
nA
mV
V
Current limit response time
From rising edge of SN1
100
200
275
ns
Short circuit threshold voltage
Short circuit protection startup delay
SCTH1
V SW_FB1 % of V REF
From SYS_EN rising edge, % of t SS1,
SW_FB1 = 0.5 V, (Note 2)
75
100
80
125
85
150
%
%
Internal Soft ? Start
Soft ? start time
t SS1
3
5
7
ms
1. Guaranteed by design, not fully tested in production.
2. Indirectly guaranteed by test coverage of other parameters.
http://onsemi.com
7
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NCV8855BMNR2GEVB | 功能描述:电源管理IC开发工具 SMPS ASIC RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 产品:Evaluation Kits 类型:Battery Management 工具用于评估:MAX17710GB 输入电压: 输出电压:1.8 V |
| NCV8870 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Automotive Grade Non-Synchronous Boost Controller |
| NCV887000 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Automotive Grade Non-Synchronous Boost Controller |
| NCV887000D1R2G | 功能描述:低压差稳压器 - LDO Auto Grade Non-Sync Boost Controller RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
| NCV887001 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Automotive Grade Non-Synchronous Boost Controller |
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