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参数资料
| 型号： | NE6500179A |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MESFET |
| 封装： | 79A, 4 PIN |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | NE6500179A |
Preliminary Data Sheet PG10021EJ01V0DS
3
NE6500179A
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = +25
°°°°C)
ID
IG
Pout
VDS = 6.0 V
IDset = 200 mA (RF OFF)
Rg = 30
, f = 1.9 GHz
OUTPUT POWER, DRAIN CURRENT,
GATE CURRENT vs. INPUT POWER
Output
Power
P
out
(dBm)
Drain
Current
I
D
(mA)
Input Power Pin (dBm)
35
20
25
30
10
15
5
1 000
800
600
400
200
0
25
20
15
10
5
0
–5
Gate
Current
I
G
(mA)
10
8
6
4
2
0
–2
Remark The graph indicates nominal characteristics.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NE6500379A-T1 | 功能描述:射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE6500379A-T1-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF POWER TRANSISTOR MESFET 制造商:Renesas 功能描述:NE6500379A-T1-A |
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