- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录299552 > NE6500179A L BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MESFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NE6500179A |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MESFET |
| 封装： | 79A, 4 PIN |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | NE6500179A |
Preliminary Data Sheet PG10021EJ01V0DS
5
NE6500179A
PACKAGE DIMENSIONS
79A (UNIT: mm)
Source
Gate
Drain
0.4±0.15
5.7 MAX.
5.7
MAX.
0.6±0.15
0.8±0.15
4.4
MAX.
4.2 MAX.
Source
Gate
Drain
BOTTOM VIEW
3.6±0.2
1.5±0.2
1.2
MAX.
0.8 MAX.
1.0
MAX.
0.9±0.2
0.2±0.1
TC
97
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NEF0100151B0C | 1-OUTPUT 15 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
| NES230 | 5.5 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-5 |
| NES2427P-140 | 2 CHANNEL, S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MESFET |
| NES65A | 12 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| NESG3031M14-T3-AFB | C BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NE6500379 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:3W L, S-BAND POWER GaAs MESFET |
| NE6500379A | 功能描述:射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE6500379A-EVPW26 | 功能描述:射频GaAs晶体管 For NE6500379A 2.6G RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE6500379A-T1 | 功能描述:射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE6500379A-T1-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF POWER TRANSISTOR MESFET 制造商:Renesas 功能描述:NE6500379A-T1-A |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。