参数资料
型号: NE6500179A
元件分类: 功率晶体管
英文描述: L BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MESFET
封装: 79A, 4 PIN
文件页数: 4/8页
文件大小: 39K
代理商: NE6500179A
Preliminary Data Sheet PG10021EJ01V0DS
4
NE6500179A
S-PARAMETERS
Test Conditions: VDS = 6.0 V, IDset = 200 mA (RF OFF)
Frequency
S11
S21
S12
S22
MHz
MAG.
ANG. (deg.)
MAG.
ANG. (deg.)
MAG.
ANG. (deg.)
MAG.
ANG. (deg.)
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
1500
1600
1700
1800
1900
2000
2100
2200
2300
2400
2500
2600
2700
2800
2900
3000
0.895
0.890
0.886
0.884
0.881
0.879
0.877
0.876
0.877
0.875
0.876
0.875
0.876
0.875
0.876
0.877
0.876
0.875
0.880
145.1
152.4
158.2
163.0
167.0
170.4
173.4
176.4
179.1
178.3
175.7
173.0
170.4
167.7
165.0
162.5
159.9
157.2
154.6
151.9
149.3
146.7
144.0
141.6
139.5
137.1
6.305
5.356
4.684
4.157
3.708
3.381
3.105
2.880
2.681
2.518
2.368
2.237
2.122
2.021
1.927
1.842
1.765
1.691
1.620
1.552
1.489
1.429
1.366
1.305
1.247
1.203
96.12
91.79
87.59
84.18
81.06
78.08
75.16
72.51
69.60
66.85
64.05
61.40
58.60
55.76
52.81
49.91
47.10
44.16
41.13
38.07
35.13
32.08
29.08
26.27
23.72
20.91
0.037
0.038
0.039
0.040
0.041
0.042
0.043
0.042
0.043
0.042
18.49
15.64
13.66
11.83
10.32
9.36
8.22
6.99
5.95
5.24
4.31
3.11
1.97
1.23
0.05
0.66
2.19
3.00
4.19
5.43
6.55
8.05
9.20
10.15
11.98
12.74
0.595
0.601
0.607
0.608
0.609
0.610
0.609
0.607
0.606
0.604
0.603
0.601
0.600
0.601
0.603
0.606
0.610
0.613
0.620
172.3
175.2
177.3
179.2
178.9
177.3
175.8
174.3
172.7
171.1
169.4
167.9
166.2
164.6
162.7
160.6
158.5
156.4
154.3
152.0
149.7
147.3
144.9
142.6
140.7
138.2
相关PDF资料
PDF描述
NEF0100151B0C 1-OUTPUT 15 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE
NES230 5.5 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-5
NES2427P-140 2 CHANNEL, S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MESFET
NES65A 12 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
NESG3031M14-T3-AFB C BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
NE6500379 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:3W L, S-BAND POWER GaAs MESFET
NE6500379A 功能描述:射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
NE6500379A-EVPW26 功能描述:射频GaAs晶体管 For NE6500379A 2.6G RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
NE6500379A-T1 功能描述:射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
NE6500379A-T1-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF POWER TRANSISTOR MESFET 制造商:Renesas 功能描述:NE6500379A-T1-A