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参数资料
| 型号： | NT1GT64U8HA0B-3C |
| 厂商： | NANYA TECHNOLOGY CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.45 ns, DMA240 |
| 封装： | DIMM-240 |
| 文件页数： | 17/20页 |
| 文件大小： | 311K |
| 代理商： | NT1GT64U8HA0B-3C |
NT512T64U88A0F / NT512T64U88A0B / NT512T64U88A0BY (Green)
NT1GT64U8HA0F / NT1GT64U8HA0B / NT1GT64U8HA0BY (Green)
512MB: 64M x 64 / 1GB: 128M x 64
Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM
REV 1.1
6
03/2005
NANYA TECHNOLOGY CORP.
NANYA TECHNOLOGY CORP. reserves the right to change Products and Specifications without notice.
Functional Block Diagram
(512MB, 1 Rank, 64Mx8 DDR2 SDRAMs)
Serial PD
A0
A2
A1
SCL
WP
SDA
SA0
SA2
SA1
Serial PD
VDDSPD
VDDQ
VDD
VREF
VSS
VDDID
D0-D8
Strap : see Note 4
CS0
DM1
DQS1
DQ8
DQ9
DQ10
DQ15
DQ12
DQ14
DQ13
DQ11
CS
D1
DQS
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
I/O 7
DM
DQS2
DQ16
DQ17
DQ18
DQ23
DQ20
DQ22
DQ21
DQ19
CS
D2
DQS
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
I/O 7
DM
DM2
DQS3
DQ24
DQ25
DQ26
DQ31
DQ28
DQ30
DQ29
DQ27
CS
D3
DQS
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
I/O 7
DM
DM3
DM5
DQS5
DQ40
DQ41
DQ42
DQ47
DQ44
DQ46
DQ45
DQ43
CS
D5
DQS
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
I/O 7
DM
DM6
DQS6
DQ48
DQ49
DQ50
DQ55
DQ52
DQ54
DQ53
DQ51
CS
D6
DQS
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
I/O 7
DM
DM7
DQS7
DQ56
DQ57
DQ58
DQ63
DQ60
DQ62
DQ61
DQ59
CS
D7
DQS
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
I/O 7
DM
DQS4
DQ32
DQ33
DQ34
DQ39
DQ36
DQ38
DQ37
DQ35
CS
D4
DQS
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
I/O 7
DM
DQS4
DM4
DM0
DQS0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ7
DQ4
DQ6
DQ5
DQ3
CS
D0
DQS
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
I/O 7
DM
BA0-BA1
A0-A13
RAS
CAS
CKE0
ODT0
WE
A0-A13 : SDRAMs D0-D8
BA0-BA1 : SDRAMs D0-D8
RAS : SDRAMs D0-D8
CKE : SDRAMs D0-D8
CAS : SDRAMs D0-D8
ODT : SDRAMs D0-D8
WE : SDRAMs D0-D8
Notes :
1. DQ-to-I/O wiring may be changed within a byte.
2. DQ/DQS/DM/CKE/CS relationships are maintained as shown.
3. DQ/DQS/DQS resistors are 22 Ohms +/- 5%
4. BAx, Ax, RAS, CAS, WE resistors are 5.1 Ohms +/- 5%
5. Address and control resistors are 22 Ohms +/- 5%
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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