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参数资料
| 型号： | NTGD3133PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 20V 21.5A 6TSOP |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 145 毫欧 @ 2.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 400pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 560mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTGD3133P
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
10
9
? 3.0 V
T J = 25 ° C
? 2.8 V
10
9
V DS = ? 5 V
8
7
6
5
4
3
2
V GS = ? 3.5 V to ? 4.5 V ? 2.6 V
? 2.5 V
? 2.4 V
? 2.2 V
? 2.0 V
? 1.8 V
8
7
6
5
4
3
2
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
1
0
0
1
2
V GS = ? 1.5 V
3
4
1
0
1
T J = ? 55 ° C
2
3
4
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.50
0.45
T J = 25 ° C
0.30
V GS = ? 2.0 V
T J = 25 ° C
0.40
0.35
0.25
0.30
0.25
0.20
V GS = ? 2.5 V
0.20
0.15
I D = ? 2.2 A
0.15
V GS = ? 3.0 V
0.10
0.05
0.10
V GS = ? 4.5 V
0
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
0.05
0
1
2
3
4
5
6
7
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance versus
Gate ? to ? Source Voltage
? I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
1.6
1.5
1.4
1.3
V GS = ? 4.5 V
I D = ? 2.2 A
600
550
500
450
400
C ISS
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
f = 1 MHz
1.2
1.1
350
300
1
0.9
0.8
250
200
150
100
C OSS
0.7
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
50
0
0
C RSS
5
10
15
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Capacitance Variation
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PDF描述 |
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