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参数资料
| 型号： | NTGD3133PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 20V 21.5A 6TSOP |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 145 毫欧 @ 2.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 400pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 560mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTGD3133P
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
5
12
100
4
Q T
10
V GS = ? 4.5 V
V DD = ? 10 V
I D = ? 1.0 A
t d(off)
t f
3
? V DS
? V GS
8
t r
2
Q GS
Q DS
6
10
t d(on)
4
1
0
0
1
2
V DS = ? 10 V
I D = ? 2.2 A
T J = 25 ° C
3
4
2
0
1
1
10
100
10
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
V GS = 0 V
1.2
1.1
1.0
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 8. Resistive Switching Time
Variation versus Gate Resistance
1
T J = 150 ° C
0.9
0.8
I D = ? 250 m A
0.7
0.6
0.1
0.4
0.5
125 ° C
0.6
25 ° C
0.7
? 55 ° C
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0.5
0.4
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
40
30
20
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 9. Diode Forward Voltage versus
Current
10
1
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 10. Threshold Voltage
1 ms
10 ms
10
0.1
V GS = ? 12 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
dc
Package Limit
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
SINGLE PULSE TIME (s)
Figure 11. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
http://onsemi.com
4
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 12. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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