- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录488 > NTGD4161PT1G (ON Semiconductor)MOSFET P-CH DUAL 30V 2.3A 6-TSOP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTGD4161PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 30V 2.3A 6-TSOP |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 30/Sept/2011 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 160 毫欧 @ 2.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.1nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 281pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 600mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTGD4161P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
5
?10 V
?4.5 V
T J = 25 ° C
5
V DS ≥ ?3 V
4
3
2
?4 V
?3.8 V
?3.6 V
?3.4 V
4
3
2
1
?3.2 V
1
150 ° C
25 ° C
0
0
1 2 3 4
?3 V
?2.8 V
5
0
1
?40 ° C
2 3 4
5
?V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On?Region Characteristics
?V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.5
0.4
I D = ?2.1 A
0.4
0.35
0.3
T J = 25 ° C
V GS = ?4.5 V
0.3
0.2
0.1
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
V GS = ?10 V
0
3
4
5
6
7
8
9
10
0
0
1
2
3
4
5
6
0.3
?V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On?Resistance versus
Gate?to?Source Voltage
1000
?I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On?Resistance versus Drain Current
and Temperature
V GS = 0 V
0.2
I D = ?1.6 A
V GS = ?4.5 V
100
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
0.1
0.0
I D = ?2.1 A
V GS = ?10 V
10
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
0
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
?V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. On?Resistance Variation with
Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTGD4167CT1G | MOSFET N/P-CH 30V DUAL 6-TSOP |
| NTGD4169FT1G | MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP |
| NTGS1135PT1G | MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP |
| NTGS3130NT1G | MOSFET N-CH SGL 20V 5.6A 6-TSOP |
| NTGS3441BT1G | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTGD4167C | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET Complementary, 30 V, +2.9/−2.2 A, TSOP−6 Dual |
| NTGD4167CT1G | 功能描述:MOSFET COMP 30V 2.9A 0.090 TSOP6 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTGD4169F | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET and Schottky Diode 30 V, 2.9 A, N−Channel with Schottky Barrier Diode, TSOP−6 |
| NTGD4169FT1G | 功能描述:MOSFET FETKY 30V 2.6A 90MO TSOP6 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTGF3123F | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Efficiency DC-DC Converters |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。