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参数资料
| 型号： | NTGD4161PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 30V 2.3A 6-TSOP |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 30/Sept/2011 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 160 毫欧 @ 2.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.1nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 281pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 600mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTGD4161P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
350
T J = 25 ° C
10
Q T
10
300
V GS = 0 V
8
8
250
200
C ISS
6
V GS
6
150
4
Q GS
Q GD
4
100
50
0
C RSS
C OSS
2
0
V DS
I D = ?2.1 A
T J = 25 ° C
2
0
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
5
6
0.8
DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate?to?Source and
Drain?to?Source Voltage versus Total Charge
100
0.7
0.6
V GS = 0 V
10
V GS = ?10 V
Single Pulse
T A = 25 ° C
0.5
0.4
0.3
0.2
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
1
0.1
100 m s
1 ms
10 ms
0.1
T J = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
dc
0
T J = ?40 ° C
0.01
Package Limit
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.1
1
10
100
?V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 9. Diode Forward Voltage versus
Current
1.0
0.5
0.2
0.1 0.1
0.05
0.02
0.01 0.01
?V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 10. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
0.001
Single Pulse
1E?06
1E?05
1E?04
1E?03
1E?02
1E?01
1E+00
1E+01
1E+02
1E+03
t, time (s)
Figure 11. FET Thermal Response
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NTGD4169FT1G | 功能描述:MOSFET FETKY 30V 2.6A 90MO TSOP6 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTGF3123F | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Efficiency DC-DC Converters |
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