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参数资料
| 型号： | NTGD4167CT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V DUAL 6-TSOP |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.6A，1.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 2.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 295pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTGD4167CT1GOSDKR |
NTGD4167C
P ? CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS
7.0
7.0
V DS = ? 5 V
6.0
V GS = ? 5.0 V to ? 3.5 V
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
? 3.0 V
? 2.5 V
? 2.0 V
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
? 1.5 V
3.0 3.5
4.0
4.5
5.0
1.0
0
0.75
1
125 ° C
1.25 1.5
1.75
? 55 ° C
2
25 ° C
2.25
2.5
2.75
3
0.5
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. On ? Region Characteristics
0.5
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 14. Transfer Characteristics
0.45
0.4
0.35
0.3
0.25
T J = 25 ° C
0.45
0.4
0.35
0.3
0.25
T J = 25 ° C
V GS = ? 2.5 V
0.2
0.15
0.1
0.05
I D = ? 1.9 A
0.2
0.15
0.1
0.05
V GS = ? 4.5 V
0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
? V GS , GATE VOLTAGE (V)
Figure 15. On ? Region vs. Gate ? To ? Source
Voltage
? I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 16. On ? Resistance vs. Drain Current
and Temperature
1.6
1.5
1.4
I D = ? 1.9 A
V GS = ? 4.5 V
550
500
450
C ISS
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
f = 1 MHz
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
400
350
300
250
200
150
0.8
0.7
100
50
C RSS
C OSS
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 17. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
7
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 18. Capacitance Variation
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PDF描述 |
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