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参数资料
| 型号： | NTGD4167CT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V DUAL 6-TSOP |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.6A，1.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 2.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 295pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTGD4167CT1GOSDKR |
NTGD4167C
5
Q T
16
14
4
3
2
1
0
Q GS
? V DS
Q GD
? V GS
I D = ? 2.0 A
T J = 25 ° C
V DS = ? 15 V
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 19. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
10
1.4
1.3
I D = ? 250 m A
T J = 150 ° C
1.2
1.1
1.0
1.0
T J = 25 ° C
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.1
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0.4
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 20. Diode Forward Voltage versus
Current
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 21. Threshold Voltage
40
30
100
10
V GS = ? 12 V
Single Pulse
T A = 25 ° C
100 m s
20
1
1 ms
10 ms
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.1
0.01
0.1
R DS(on) Limit
Thermal Limit
Package Limit
1
10
dc
100
SINGLE PULSE TIME (s)
Figure 22. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
http://onsemi.com
8
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 23. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTGD4169FT1G | MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP |
| NTGS1135PT1G | MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP |
| NTGS3130NT1G | MOSFET N-CH SGL 20V 5.6A 6-TSOP |
| NTGS3441BT1G | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP |
| NTGS3441PT1G | MOSFET P-CH 20V 1.8A 6-TSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTGD4169F | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET and Schottky Diode 30 V, 2.9 A, N−Channel with Schottky Barrier Diode, TSOP−6 |
| NTGD4169FT1G | 功能描述:MOSFET FETKY 30V 2.6A 90MO TSOP6 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTGF3123F | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Efficiency DC-DC Converters |
| NTGS1135P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET −8 V, −5.8 A, Single P−Channel, TSOP−6 |
| NTGS1135PT1G | 功能描述:MOSFET 8V Power Mosfet P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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