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参数资料
| 型号： | NTHD2110TT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 19/Dec/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 6.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 850mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1072pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTHD2110T
TYPICAL MOSFET PERFORMANCE CURVES
14
12
-7 V
-4.5 V
T J = 25 ° C
-1.8 V
12.5
10
V DS w -10 V
10
-2.5 V
8
-2 V
-1.6 V
7.5
6
-1.4 V
5
25 ° C
4
-1.2 V
2.5
2
0
V GS = -1 V
0
T J = -55 ° C
125 ° C
0
0.5 1 1.5 2 2.5
3
0
0.5 1 1.5 2
2.5
0.38
-V DS , DRAIN-TO_SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
0.05
-V GS , GATE-TO_SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.34
0.3
0.26
0.22
0.18
0.14
0.1
0.6
0.2
I D = -6.4 A
T J = 25 ° C
0.045
0.04
0.035
0.03
T J = 25 ° C
V GS = -2.5 V
V GS = -4.5 V
1
2
3 4 5
6
2
3
4 5
6
7
1.5
-V GS , GATE-TO_SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On-Resistance vs. Gate Voltage
100000
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
I D = -6.4 A
V GS = -4.5 V
10000
1000
100
V GS = 0 V
T J = +150 ° C
T J = +125 ° C
-50
-25
0 25 50 75 100
125
150
2
3
4 5 6 7 8 9 10 11
12
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On-Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
-V DS , DRAIN-TO_SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain-to-Source Leakage Current
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTHD3100CT3G | MOSFET N/P-CH COMPL 20V CHIPFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTHD3100C | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 20 V, +3.9 A /−4.4 A, Complementary ChipFET |
| NTHD3100CT1 | 功能描述:MOSFET 20V +3.9A/-4.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHD3100CT1G | 功能描述:MOSFET 20V +3.9A/-4.4A Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHD3100CT3 | 功能描述:MOSFET 20V +3.9A/-4.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHD3100CT3G | 功能描述:MOSFET 20V +3.9A/-4.4A Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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