参数资料
型号: NTHD2110TT1G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 6/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET
产品变化通告: Product Obsolescence 19/Dec/2008
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 40 毫欧 @ 6.4A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 850mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1072pF @ 6V
功率 - 最大: 1.1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
供应商设备封装: ChipFET?
包装: 带卷 (TR)
NTHD2110T
18
17
16
16.5
14
12
16
10
8
6
15.5
15
I Z = 5 mA
I Z = 1 mA
4
14.5
2
0
14
-60
-20
20
60
100
140
180
-60
-10
40
90
140
190
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 13. Typical Leakage vs. Temperature
60
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 14. Typical V Z @ 1 mA vs. Temperature
50
40
30
20
10
0
25 ° C
0
2
4
6
8
10
12
14
V BIAS , (V)
Figure 15. Capacitance vs. V BIAS
Gate Controller
Input
Voltage
Load
Figure 16. Typical Application Circuit
http://onsemi.com
6
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参数描述
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NTHD3100CT1 功能描述:MOSFET 20V +3.9A/-4.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTHD3100CT1G 功能描述:MOSFET 20V +3.9A/-4.4A Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTHD3100CT3 功能描述:MOSFET 20V +3.9A/-4.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTHD3100CT3G 功能描述:MOSFET 20V +3.9A/-4.4A Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube