- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录489 > NTHD2110TT1G (ON Semiconductor)MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTHD2110TT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 19/Dec/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 6.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 850mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1072pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTHD2110T
1500
4.5
1400
1300
1200
1100
C ISS
J °
T T J ==25 ° CC
V GS = 0 V
4
3.5
Q T
1000
900
800
3
2.5
700
600
500
2 Q 1
1.5
Q 2
400
300
C OSS
1
200
100
0
C RSS
0.5
0
I D = -6.4 A
T J = 25 ° C
0
2
4
6
8
10
12
0
2
4 6 8 10
12
1000
-V DS , DRAIN-TO_SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
6
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate-to-Source and
Drain-to-Source Voltage vs. Total Charge
100
10
V DS = -6 V
I D = -1 A
V GS = -4.5 V
t d(off)
t f
t r
t d(on)
5
4
3
2
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
1
1
0
1
10
100
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
-V SD , SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
vs. Gate Resistance
TYPICAL TVS PERFORMANCE CURVES
110
7
100
90
80
70
60
50
c-t
t d = I PP /2
WAVEFORM
PARAMETERS
t r = 8 m s
t d = 20 m s
6
5
4
3
PULSE WAVEFORM
8 x 20 m s per Figure 11
40
30
20
10
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
0
14
15
16 17 18
19
20
t, TIME ( m s)
Figure 11. Pulse Waveform, 8 × 20 m s
V C , CLAMPING VOLTAGE (V)
Figure 12. Clamping Voltage vs Peak Pulse
Current
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTHD3100CT3G | MOSFET N/P-CH COMPL 20V CHIPFET |
| NTHD3101FT3G | MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET |
| NTHD3102CT1G | MOSFET N/P-CH COMPL 20V CHIPFET |
| NTHD3133PFT3G | MOSFET P-CH SGL 20V CHIPFET |
| NTHD4102PT3G | MOSFET P-CH DUAL 20V CHIPFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTHD3100C | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 20 V, +3.9 A /−4.4 A, Complementary ChipFET |
| NTHD3100CT1 | 功能描述:MOSFET 20V +3.9A/-4.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHD3100CT1G | 功能描述:MOSFET 20V +3.9A/-4.4A Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHD3100CT3 | 功能描述:MOSFET 20V +3.9A/-4.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHD3100CT3G | 功能描述:MOSFET 20V +3.9A/-4.4A Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。